AEC-Q100 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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Infineon Technologies S29GL064S80TFB043
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 64 Mbit Parallel
Infineon Technologies S29GL128S10GHB010
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

NOR Flash 128 Mbit
Infineon Technologies S29GL128S10GHB013
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,700
배수: 2,700
: 2,700

NOR Flash 128 Mbit
Infineon Technologies S29GL128S11FHBV20
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,800
배수: 1,800

NOR Flash 128 Mbit
Infineon Technologies S29GL128S11FHBV23
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 128 Mbit
Infineon Technologies S29GL128S90FHA020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,800
배수: 1,800

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 128 Mbit Parallel
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 128 Mbit Parallel
Infineon Technologies S29GL256S10FHB020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,800
배수: 1,800

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL256S10FHB023
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL256S10GHB010
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL256S10GHB013
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,700
배수: 2,700
: 2,700

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL256S11DHB010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL256S90DHA013
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL256S90DHA020
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 256 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL256S90FHA020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,800
배수: 1,800

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL256S90FHA023
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL256S90DHA010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

NOR Flash 256 Mbit
Infineon Technologies S29GL512S11DHA010
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512S11DHA013
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512S11GHB020
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

NOR Flash SMD/SMT FBGA-56 512 Mbit Parallel
Infineon Technologies S29GL512T10TFA020
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 910
배수: 910

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T10TFA023
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11DHB023
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11DHB020
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 520
배수: 520

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11TFB020
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASHMEM 비재고 리드 타임 19 주
최소: 910
배수: 910

NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 512 Mbit