PowerSaver 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 158
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ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩6,087.7
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩5,876.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩8,032.4
최소: 234
배수: 234
SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩5,918.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩9,343
₩8,694.8
₩8,427
₩8,046.5
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT TSOP-32 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩5,862.3
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SRAM SMD/SMT TSOP-32 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩7,849.2
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩7,849.2
₩7,736.5
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT TFBGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩7,581.5
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩7,637.9
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SRAM SMD/SMT sTSOP-32 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩12,316.4
₩11,456.8
₩11,118.6
₩10,850.8
₩10,583.1
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩7,722.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SRAM SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 256K (32K x 8) 20ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
₩7,356
₩6,848.7
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT TSOP-28 256 kbit Parallel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩3,818.9
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SRAM SMD/SMT TSOP-28 256 kbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩13,514.2
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩16,924.5
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩7,299.7
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩13,556.5
₩12,612.3
₩12,217.8
₩11,935.9
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩7,158.7
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩7,285.6
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩12,386.9
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩11,654.1
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩12,062.8
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩18,009.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩16,670.8
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit