Bulk 메모리 IC

결과: 134
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI NOR 플래시 128M 3V 133MHz Serial Flash 재고 없음
최소: 480
배수: 480

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR 플래시 128M 1.8V 133MHz Serial Flash 재고 없음
최소: 480
배수: 480

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit QPI, SPI
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 72
배수: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
Everspin Technologies 메모리 IC 개발 툴 QUAD SPI EVAL BOARD 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
Evaluation Boards Memory IC Development Tools 1 Mbit
Everspin Technologies 메모리 IC 개발 툴 SPI MRAM EVAL BOARD 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
Evaluation Boards Memory IC Development Tools 4 Mbit