Bulk 메모리 IC

결과: 117
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Everspin Technologies 메모리 IC 개발 툴 SPI MRAM EVAL BOARD 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
Evaluation Boards Memory IC Development Tools 4 Mbit
ISSI IS65WV51216EBLL-45CTLA3
ISSI SRAM 8Mb,Low Power/Power Saver ,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,Automotive,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135

SRAM
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 재고 없음
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
ISSI NOR 플래시 16M SPI, WSON ET 1.65-1.95V 비재고 리드 타임 30 주
최소: 480
배수: 480

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 16 Mbit QPI, SPI
ISSI DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2 재고 없음
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI IS46DR16640D-25DBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz a. CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

DRAM
ISSI IS46DR16640D-25DBLA1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz a. CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

DRAM
ISSI IS66WVH4M8FALL-200B1LI
ISSI SRAM 32Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 480
배수: 480

SRAM
ISSI IS25LP128-JMLA3-TY
ISSI NOR 플래시 128Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, Auto Grade, Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 176
배수: 176

NOR Flash
ISSI IS34MW04G088-TLI
ISSI NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 96
배수: 96

NAND Flash
ISSI IS34MW04G168-BLI
ISSI NAND 플래시 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash
ISSI IS34MW08G088-TLI
ISSI NAND 플래시 8Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 96
배수: 96

NAND Flash
ISSI IS66WVH4M8FBLL-166B1LI
ISSI SRAM 32Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

SRAM
ISSI IS61QDB41M18A-250M3LI
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

SRAM
ISSI IS61QDB451236A-250B4L
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 512K x 36, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 144
배수: 144

SRAM
Alliance Memory MT40A1G16TD-062E:F
Alliance Memory DRAM DDR4 (Micron), 16Gb, 1Gx16, 1.2V, 96-ball FBGA (9x13mm), 1600MHz, Commercial Temp 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
DRAM
ISSI IS43LQ32K01S2A-053BLI
ISSI DRAM 32G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 1Gx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 136
배수: 136

DRAM