512 kbit 메모리 IC

결과: 361
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수량 RoHS 제품
제품 유형
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패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 512 kbit Parallel

Renesas / Dialog NOR 플래시 512 Kbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 8,000
배수: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8 512 kbit SPI
Renesas / Dialog NOR 플래시 512 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 8,000
배수: 4,000
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT 512 kbit SPI
Renesas / Dialog NOR 플래시 512 Kbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 7,840
배수: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 512 kbit SPI

Microchip Technology EEPROM 64kx8 - 2.5V Lead Free Package
데이터시트
제품 코멘트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-14 512 kbit 2-Wire, I2C
Renesas Electronics SRAM 64K X 8K
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 512 kbit
GigaDevice GD25D05EEEGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25D05EEIGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25D05EKIGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25D05ETIGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25LD05EEIGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25LD05EKIGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25LD05ETIGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD05EEIGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD05EK6IGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-6 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD05EKIGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD05ETIGR
GigaDevice NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit Dual SPI, SPI
Microchip Technology 24CS512T-E/Q4B66KVAO
Microchip Technology EEPROM 512K I2C SERIAL EEPROM, EXT
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000

EEPROM SMD/SMT UDFN-8 512 kbit I2C
Microchip Technology 24CS512T-I/CS0668
Microchip Technology EEPROM 512K 3.4MHz I2C SERIAL EEPROM, I-Temp, ECC, WLCSP
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

EEPROM SMD/SMT CSP-8 512 kbit I2C
Macronix MX25V5126FZUI-T
Macronix NOR 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 5,700
배수: 570

NOR Flash 512 kbit

ISSI SRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 512 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

SRAM SMD/SMT SOJ-44 512 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Commercial Temp - Tray
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 512 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

SRAM SMD/SMT SOJ-44 512 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin TSOP II, 20ns, Commercial Temp - Tray
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 135
배수: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 512 kbit Parallel