4 Mbit 메모리 IC

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Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X 비재고 리드 타임 18 주
최소: 144
배수: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT CABGA-48 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT CABGA-48 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT CABGA-48 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 250
배수: 250

SRAM SMD/SMT CABGA-48 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 144
배수: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics FIFO 3.3V 4M SUPER SYNC II 비재고 리드 타임 18 주
최소: 45
배수: 45

FIFO SMD/SMT TQFP-64 4 Mbit
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT CABGA-165 4 Mbit Parallel