4 Mbit 메모리 IC

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Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,800
배수: 480
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,800
배수: 480
NOR Flash SMD/SMT LFBGA-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
NOR Flash SMD/SMT LFBGA-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O TSOP-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 960
배수: 96
NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O TSOP-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O TSOP-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 960
배수: 96
NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,800
배수: 480
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,800
배수: 480

NOR Flash SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
NOR Flash SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT CABGA-256 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-128 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 24
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 21
배수: 7

SRAM SMD/SMT CABGA-208 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 21
배수: 7

SRAM SMD/SMT CABGA-208 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 21
배수: 7

SRAM SMD/SMT CABGA-208 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 24
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 136
배수: 136

SRAM SMD/SMT CABGA-165 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 144
배수: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X 비재고 리드 타임 18 주
최소: 144
배수: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X 비재고 리드 타임 18 주
최소: 144
배수: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X 비재고 리드 타임 18 주
최소: 144
배수: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X 비재고 리드 타임 18 주
최소: 136
배수: 136

SRAM SMD/SMT CABGA-165 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT CABGA-165 4 Mbit Parallel