4 Mbit 메모리 IC

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Renesas / Dialog NOR 플래시 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 105C, SOIC-W 208mil (Tape & Reel), Single, Dual, Quad SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 4,000
배수: 2,000
: 2,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit
Renesas / Dialog NOR 플래시 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual, Quad SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 7,840
배수: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR 플래시 4 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-W 208mil (Tube), Single, Dual, Quad SPI NOR flash 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,500
배수: 90

NOR Flash SMD/SMT SOP-Wide-8 4 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR 플래시 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 105C, SOIC-N 150mil (Tape & Reel), Single, Dual, Quad SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 8,000
배수: 4,000
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FRAM SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FRAM SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 1.8V 55ns 256K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT VFBGA-48 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FRAM SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SRAM SMD/SMT VFBGA-48 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM MoBL SRAM 4-Mbit 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT VFBGA-48 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM MoBL SRAM 4-Mbit 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT VFBGA-48 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT VFBGA-48 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM MoBL SRAM 4-Mbit 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,800
배수: 4,800

SRAM SMD/SMT VFBGA-48 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies SRAM MoBL SRAM 4-Mbit 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT VFBGA-48 4 Mbit Parallel