4 Gbit 메모리 IC

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결과: 306
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품
제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
GigaDevice GD5F4GM8UEBIGY
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
재고 없음
최소: 4,800
배수: 4,800

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD5F4GM8UEYJGR
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD9FS4G8F4DLGI
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
재고 없음
최소: 2,100
배수: 2,100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FS4G8F4DMGI
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
재고 없음
최소: 960
배수: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F3ALGJ
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 2,100
배수: 2,100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F3AMG2
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F3AMGJ
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F4DLGI
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
재고 없음
최소: 2,100
배수: 2,100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F4DMGI
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
재고 없음
최소: 960
배수: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,090
배수: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,090
배수: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,090
배수: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,090
배수: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,090
배수: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit