2 Gbit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 2 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T& R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 128M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 2133MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, AUTOMOTIVE temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Alliance Memory DRAM 2G 1.8V 128Mx16 400MHz DDR2 A-Temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, AUTO TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 256M x 8, 1.8v, 60-ball BGA, 400MHz, (A-die) Commercial Temp - Tray 재고 없음
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, COMMERCIAL temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, INDUSTRIAL temp - Tray 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, INDUSTRIAL temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2Gb, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, Industrial Temp A die, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-90 2 Gbit