3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI IS42S86400F-7CTL
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin Copper TSOP II RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩18,686
최소: 108
배수: 108
ISSI IS42S86400F-6CTLI
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin Copper TSOP II RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩20,842.1
최소: 108
배수: 108
ISSI IS42S86400F-7CTLI
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin Copper TSOP II RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩20,278.4
최소: 108
배수: 108
ISSI IS42S16160J-6CTL-TR
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,062.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Reel
ISSI IS42S16320F-6CTL-TR
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩17,403.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Reel
ISSI IS42S16320F-7CTL-TR
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩16,586.3
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Reel
ISSI IS42S86400F-7CTL-TR
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin Copper TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩18,361.9
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Reel