18 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 35
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
₩76,923.6
₩71,104.8
₩68,796
₩67,080
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
₩68,562
₩63,382.8
₩61,323.6
₩59,779.2
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
₩131,835.6
₩121,773.6
₩117,780
₩114,831.6
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
₩124,597.2
₩115,081.2
₩111,306
₩108,529.2
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 비재고 리드 타임 18 주
₩425,053.2
최소: 50
배수: 1
없음
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 비재고 리드 타임 18 주
₩458,905.2
최소: 50
배수: 1
없음
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩105,206.4
최소: 104
배수: 104
DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩98,623.2
최소: 104
배수: 104
DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩105,206.4
최소: 104
배수: 104
DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩98,623.2
최소: 104
배수: 104
DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit