PowerSaver 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 170
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

DRAM SMD/SMT BGA-60 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI IS62WV102416DBLL-45TLI-TR
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM
ISSI IS61WV102416DBLL-10BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM
ISSI IS61WV102416DBLL-10TLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

SRAM
ISSI IS62WV25616EALL-55BLI-TR
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16, 55ns,1.65-2.2v,mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM
ISSI IS62WV25616EALL-55TLI-TR
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16, 55ns,1.65-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM
ISSI IS62WV25616EALL-55BLI
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16, 55ns,1.65-2.2v,mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

SRAM
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 재고 없음
최소: 480
배수: 480
: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel