PowerSaver 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 180
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ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 721재고 상태
1,000예상 2026-08-19
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 595재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 16Mb 45ns 1Mx16/2Mx8 Async SRAM 2.2V-3.6 1,222재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM 680재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR 835재고 상태
348예상 2026-10-26
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI IS61WV102416DBLL-10BLI
ISSI SRAM 16Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns 785재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 290재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 256K 32Kx8 45ns Async SRAM 3.3v 146재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT SOP-28 256 kbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 1Mbx8 45ns 6재고 상태
540예상 2026-08-10
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns 14재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns 28재고 상태
1,080주문 중
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 161재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI IS61WV102416DBLL-10TLI
ISSI SRAM 16Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns 84재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
1,392예상 2026-12-21
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
239예상 2027-07-12
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
323예상 2026-11-26
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel