- 55 C Tube 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 67
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Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
25재고 상태
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT LCC-32 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 120NS
12재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
EEPROM SMD/SMT LCC-32 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT LCC-32 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 150NS
1재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
EEPROM Through Hole CDIP-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS FLATPACK 883C
15재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
EEPROM SMD/SMT FlatPack-28 256 kbit Parallel
Infineon Technologies F램 A&D
469재고 상태
최소: 1
배수: 1

FRAM SMD/SMT SOIC-8 2 Mbit SPI
Microchip Technology EEPROM Serial EEPROM 256K 32K X 8, 2.5V MIL T
146재고 상태
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT DFN-S-8 256 kbit SPI
Microchip Technology EEPROM 64K 8K X 8 2.5V SERIAL EE MIL
285재고 상태
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 64 kbit SPI
Microchip / Microsemi EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS 883C
12재고 상태
최소: 1
배수: 1

EEPROM Through Hole CDIP-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 16K 2K X 8 2.5V SERIAL EE MIL
38재고 상태
400예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 16 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM Serial EEPROM 512K 64K X 8, 2.5V MIL T
68재고 상태
400예상 2026-08-27
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 512 kbit SPI
Microchip Technology EEPROM 1M 5V SDP - 150NS
12재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
EEPROM Through Hole CDIP-32 1 Mbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

EEPROM Through Hole CDIP-28 256 kbit Parallel

Microchip Technology EEPROM 150NS CERDIP
리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM Through Hole DIP-28 256 kbit Parallel

Microchip Technology EEPROM 200NS CERDIP
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

EEPROM Through Hole DIP-28 256 kbit Parallel

Microchip Technology EEPROM 250NS CERDIP
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

EEPROM Through Hole DIP-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS 883C
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

EEPROM Through Hole CDIP-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS 883C
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM Through Hole CDIP-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT LCC-32 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

EEPROM SMD/SMT LCC-32 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

EEPROM SMD/SMT LCC-32 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

EEPROM Through Hole CDIP-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

EEPROM SMD/SMT LCC-32 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

EEPROM Through Hole CDIP-28 256 kbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

EEPROM SMD/SMT LCC-32 256 kbit Parallel