8 Mbit 메모리 IC

결과: 660
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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩24,421.4
₩22,335.8
최소: 135
배수: 135
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 1Mbx8 5v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩18,023.7
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 512Kx16, 5v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩16,656.7
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩12,386.9
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩11,654.1
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩12,062.8
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩12,598.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩20,532
₩19,066.5
₩18,488.7
₩17,629.1
₩17,178.1
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩15,008
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns 비재고 리드 타임 12 주
₩15,036.2
₩14,387.9
₩14,120.2
₩13,922.9
₩13,542.4
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩12,499.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT mBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩28,536.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩30,354.2
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩23,660.5
₩23,646.4
최소: 135
배수: 135
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩23,646.4
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/2 Pins, RoHS, Auto temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩23,646.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩28,930.9
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩26,929.8
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩3,593.5
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
SRAM SMD/SMT SOIC-8 8 Mbit SPI
ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩25,943.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩24,689.2
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,256K x 32,8ns/3.3V,or 10ns/2.4V-3.6V,90 Ball mBGA(8x13 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩25,252.9
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-90 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩28,663.1
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩30,354.2
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩32,947.1
₩32,933
최소: 135
배수: 135
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit