|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXI
- CY62158GE30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,557.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-Y62158GE3045BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
- IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR
- ISSI
-
1,000:
₩22,631.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-10248EL10CTLA3TR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TSSOP-44
|
8 Mbit
|
Serial
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
- IS64WV10248EEBLL-10CTLA3
- ISSI
-
135:
₩22,364
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-10248ELL-10CTLA3
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TSSOP-44
|
8 Mbit
|
Serial
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
- IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR
- ISSI
-
2,500:
₩24,477.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-51216EL10B2LA3TR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Serial
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
- IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR
- ISSI
-
2,500:
₩24,477.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-51216EL10BLA3TR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Serial
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
- IS64WV51216EEBLL-10B2LA3
- ISSI
-
480:
₩24,477.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-51216ELL-10B2LA3
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Serial
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
- IS64WV51216EEBLL-10BLA3
- ISSI
-
480:
₩28,677.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-51216ELL-10BLA3
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Serial
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩12,443.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W1248EBLL1TLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩13,063.3
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩12,781.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2TIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,585.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1B2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩14,387.9
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1T2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩13,063.3
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2BI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI
- ISSI
-
135:
₩17,375.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2TI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10B2LI
- ISSI
-
480:
₩15,515.3
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEBL1B2I
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,585.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEBL1BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10B2LI
- ISSI
-
480:
₩13,021
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV10248BL1B2LI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
mBGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩13,021
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV10BL10B2LITR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
mBGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩19,277.9
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV10DBLL10BLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10TLI
- ISSI
-
135:
₩12,443.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV1248EBLL1TLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV10248EDBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩19,263.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV1EDBLL10TLIR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
- IS61WV51216BLL-10MLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩25,295.1
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216B10MLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩21,490.3
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216DA2BLIR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EDALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩21,278.9
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216DA2TLIR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩22,857.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216EDA2BLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|