8 Mbit 메모리 IC

결과: 660
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Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 26 주
₩15,557.6
₩14,740.2
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩22,631.8
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSSOP-44 8 Mbit Serial

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩22,364
₩22,349.9
최소: 135
배수: 135
SRAM SMD/SMT TSSOP-44 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩24,477.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩24,477.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩24,477.8
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩28,677.2
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩12,443.2
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩13,063.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩12,781.4
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩14,585.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩14,387.9
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩13,063.3
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩17,375.4
₩13,133.7
최소: 135
배수: 135
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩15,515.3
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩14,585.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩13,021
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT mBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩13,021
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT mBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩19,277.9
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩12,443.2
₩12,429.1
최소: 135
배수: 135
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩19,263.8
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩25,295.1
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩21,490.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩21,278.9
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩22,857.2
최소: 480
배수: 480
SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel