|
|
NOR 플래시 Nor
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020
- S70GL02GT11FHB020
- Infineon Technologies
-
180:
₩57,283.2
-
비재고 리드 타임 19 주
|
Mouser 부품 번호
727-S70GL02GT11FH020
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 Nor
|
|
비재고 리드 타임 19 주
|
|
최소: 180
배수: 180
|
|
|
NOR Flash
|
|
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
NOR 플래시 Nor
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB023
- S70GL02GT11FHB023
- Infineon Technologies
-
1,600:
₩57,283.2
-
비재고 리드 타임 19 주
|
Mouser 부품 번호
727-S70GL02GT11FH023
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 Nor
|
|
비재고 리드 타임 19 주
|
|
최소: 1,600
배수: 1,600
:
1,600
|
|
|
NOR Flash
|
|
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
NOR 플래시 Nor
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB010
- S70GL02GT11FHB010
- Infineon Technologies
-
360:
₩57,283.2
-
비재고 리드 타임 19 주
|
Mouser 부품 번호
727-S70GL02GT11FHB01
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 Nor
|
|
비재고 리드 타임 19 주
|
|
최소: 360
배수: 360
|
|
|
NOR Flash
|
|
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
NOR 플래시 Nor
Infineon Technologies S70GL02GT11FHV020
- S70GL02GT11FHV020
- Infineon Technologies
-
180:
₩49,327.2
-
비재고 리드 타임 19 주
|
Mouser 부품 번호
727-S70GL02GT11FHV02
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 Nor
|
|
비재고 리드 타임 19 주
|
|
최소: 180
배수: 180
|
|
|
NOR Flash
|
|
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
NOR 플래시 Nor
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV23
- S70GL02GT12FHBV23
- Infineon Technologies
-
1,600:
₩57,283.2
-
비재고 리드 타임 19 주
|
Mouser 부품 번호
727-S70GL02GT12FBV23
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 Nor
|
|
비재고 리드 타임 19 주
|
|
최소: 1,600
배수: 1,600
:
1,600
|
|
|
NOR Flash
|
|
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
NOR 플래시 Nor
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
- S70GL02GT12FHBV20
- Infineon Technologies
-
360:
₩57,283.2
-
비재고 리드 타임 19 주
|
Mouser 부품 번호
727-S70GL02T12FHBV20
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 Nor
|
|
비재고 리드 타임 19 주
|
|
최소: 360
배수: 360
|
|
|
NOR Flash
|
|
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
NOR 플래시 2G 3V 110ns Parallel NOR 플래시
Infineon Technologies S70GL02GS11FHI020
- S70GL02GS11FHI020
- Infineon Technologies
-
1:
₩59,857.2
-
비재고 리드 타임 19 주
|
Mouser 부품 번호
797-70GL02GS11FHI020
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 2G 3V 110ns Parallel NOR 플래시
|
|
비재고 리드 타임 19 주
|
|
|
₩59,857.2
|
|
|
₩55,395.6
|
|
|
₩53,710.8
|
|
|
₩51,339.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩51,027.6
|
|
|
₩50,996.4
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
NOR Flash
|
SMD/SMT
|
BGA-64
|
2 Gbit
|
Parallel
|
|
|
|
DRAM
- IS46DR16128C-25DBLA2
- ISSI
-
1:
₩42,385.2
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
870-6DR16128C25DBLA2
|
ISSI
|
DRAM
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-84
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8
- AS4C128M16D2A-25BCNTR
- Alliance Memory
-
1:
₩61,120.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
913-128M16D2A25BCNTR
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩61,120.8
|
|
|
₩56,534.4
|
|
|
₩54,724.8
|
|
|
₩53,367.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩36,628.8
|
|
|
₩51,433.2
|
|
|
₩50,138.4
|
|
|
₩50,122.8
|
|
|
₩36,628.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-84
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8
- AS4C128M16D2A-25BINTR
- Alliance Memory
-
2,500:
₩40,232.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
913-128M16D2A25BINTR
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-84
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
- A3T2GF30CBF-HP
- Zentel Japan
-
2,420:
₩24,960
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T2GF30CBF-HP
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,420
배수: 2,420
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FPGA-78
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
- A3T2GF30CBF-HPI
- Zentel Japan
-
2,420:
₩31,699.2
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T2GF30CBF-HPI
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 2,420
배수: 2,420
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FPGA-78
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
- A3T2GF30CBF-JR
- Zentel Japan
-
2,420:
₩24,960
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T2GF30CBF-JR
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,420
배수: 2,420
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FPGA-78
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
- A3T2GF30CBF-JRI
- Zentel Japan
-
2,420:
₩32,760
-
비재고 리드 타임 28 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T2GF30CBF-JRI
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 2,420
배수: 2,420
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FPGA-78
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
- A3T2GF30CBF-JRL
- Zentel Japan
-
2,420:
₩26,535.6
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T2GF30CBF-JRL
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,420
배수: 2,420
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FPGA-78
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
- A3T2GF40CBF-HP
- Zentel Japan
-
2,090:
₩24,960
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T2GF40CBF-HP
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FPGA-96
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
- A3T2GF40CBF-JR
- Zentel Japan
-
2,090:
₩24,960
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T2GF40CBF-JR
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FPGA-96
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
- A3T2GF40CBF-JRI
- Zentel Japan
-
2,090:
₩32,760
-
비재고 리드 타임 28 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T2GF40CBF-JRI
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FPGA-96
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
- A3T2GF40CBF-JRL
- Zentel Japan
-
2,090:
₩26,535.6
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T2GF40CBF-JRL
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FPGA-96
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ16128A-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩29,936.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128A062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ16128A-062TBLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩32,323.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128A062TBLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ16128AL-062TBLA1
- ISSI
-
136:
₩30,264
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128AL062TBLA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩29,936.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128AL062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ16128AL-062TBLA2
- ISSI
-
136:
₩32,260.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128AL062TBLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
2 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩32,323.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128AL062TBLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
2 Gbit
|
|
|