1 Gbit 메모리 IC

결과: 688
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수량 RoHS 제품
제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive 1G,1.8V 64Mx16 DDR2 SDRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
데이터시트
리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive,1G,1.8V DDR2,128Mx8,400Mhz
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive,1G,1.8V DDR2,128Mx8,400Mhz
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 190
배수: 190

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 190
배수: 190

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit

ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
데이터시트
리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, T&R, reset pin, ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT LFBGA-24 1 Gbit QPI, SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 480
배수: 480

NOR Flash SMD/SMT LFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R, new die rev
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit DTR/Quad SPI, QPI, SPI