1 Gbit 메모리 IC

결과: 688
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Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 C Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-60 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 I Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-60 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 E-Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 I-Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (B-die), Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 C Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (B-die), INDUSTRIAL TEMP - Tray 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 128Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FPGA-60 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FPGA-84 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit