200 MHz 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
1,014주문 중
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배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-24 256 Mbit
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
36예상 2026-08-04
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM
3예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1
없음
SRAM SMD/SMT BGA-165 36 Mbit Parallel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
581예상 2026-09-02
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 512 Mbit
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 165 Ball BGA, Lead Free
121주문 중
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT FBGA-165 18 Mbit
ISSI NOR 플래시 64Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT
1,383주문 중
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 SPI
ISSI NOR 플래시 128Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, Auto Grade
480예상 2026-11-11
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit SPI
ISSI NOR 플래시 256Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, Auto Grade
1,440주문 중
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 256 Mbit SPI
ISSI NOR 플래시 512Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT
960예상 2026-12-07
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit xSPI

ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive
380예상 2026-08-26
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 256 Mb OPI
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 비재고 리드 타임 12 주
최소: 15
배수: 15

SRAM SMD/SMT TQFP-100 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 비재고 리드 타임 3 주
최소: 10
배수: 10

SRAM SMD/SMT BGA-165 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-119 288 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 36 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 36 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M 비재고 리드 타임 3 주
최소: 14
배수: 14
SRAM SMD/SMT BGA-119 72 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-119 72 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M 비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 72 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M 비재고 리드 타임 6 주
최소: 66
배수: 66

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 9 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT BGA-165 9 Mbit Parallel
GigaDevice NOR 플래시 200Mhz /256Mbit NOR 플래시 / 1.8V /TFBGA 6*8mm /Industrial(-40? to +85?) /Tray 재고 없음
최소: 4,800
배수: 4,800

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 256 Mbit SPI