8 bit 0 C 메모리 IC

결과: 313
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ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
DRAM SMD/SMT BGA-78 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
DRAM SMD/SMT BGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Commercial Temp, T&R, C Die 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 E-Temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1333MHZ, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.5V, 78-ball FBGA, 800MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit