32 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,136.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩11,856
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩16,302
₩15,147.6
₩14,679.6
₩14,336.4
릴
₩12,792
최소: 1
배수: 1
: 2,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,790.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩11,013.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩11,856
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩16,052.4
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩15,740.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩15,740.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩11,122.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,904.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,838.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,558
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩63,226.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩67,782
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩150,571.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩144,471.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩16,676.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩17,955.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩17,253.6
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,462.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,976
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩13,884
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,462.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 비재고 리드 타임 52 주
₩21,138
₩19,624.8
₩19,032
₩18,142.8
₩17,690.4
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit