32 bit + 85 C 메모리 IC

메모리 IC의 유형
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결과: 181
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 108

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit