SRAM 내장형 솔루션

결과: 177
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Schneider Electric HMI 디스플레이 및 패널 PC 5.7 Controller Panel 재고 없음
₩2,497,216.8
최소: 1
배수: 1
Schneider Electric HMI 디스플레이 및 패널 PC 4"W basic modular terminal, GP-ProEX 재고 없음
₩1,142,185.2
최소: 1
배수: 1
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM 비재고 리드 타임 18 주
₩206,856
최소: 48
배수: 6
없음
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM 비재고 리드 타임 18 주
릴
₩227,494.8
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
없음
Lantronix B43H207S
Lantronix 게이트웨이 BOLERO43 WATERPROOF (IP68-RATED) VEHICLE TRACKER FOR JAPAN - 10.8 V DC 48 V DC - LI-ION BATTERY BACKUP - IGNITION - CAN BUS X 1 - VERSATILE I/O X 2 - 1-WIRE INTERFACE X 1 - 3-WAY CONCURRENT GNSS 비재고 리드 타임 19 주
₩299,426.4
최소: 1
배수: 1
Microchip Technology 23AA02MT-I/SN
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM device, 1.7V-3.6V Vcc Range 재고 없음
릴
₩6,770.4
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300
Terasic Technologies S0567
Terasic Technologies 메모리 모듈 QDRII+ Memory Module for Stratix 10 Board 재고 없음
₩672,672
₩672,656.4
최소: 1
배수: 1
Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM
Infineon Technologies SRAM 16Mb Powersnooze 3.3V ERR pinMil temp
이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
비재고 리드 타임 3 주
₩73,944
최소: 2,400
배수: 2,400
없음

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩25,053.6
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩24,757.2
₩24,741.6
최소: 135
배수: 135
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩13,322.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩12,370.8
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩13,650
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩16,910.4
₩12,776.4
최소: 135
배수: 135
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩11,715.6
최소: 480
배수: 480
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩7,207.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩27,097.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩27,097.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩27,097.2
최소: 480
배수: 480
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
₩31,746
최소: 480
배수: 480
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩22,230
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩19,999.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩22,495.2
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩21,574.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩26,691.6
₩23,914.8
최소: 96
배수: 96