32 bit Tray 내장형 솔루션

내장형 솔루션의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 110
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 86 Pin TSOP II, 166 MHz, Industrial Temp - Tray 4재고 상태
216예상 2027-03-12
₩30,185.1
₩27,986.7
₩27,098.9
₩26,436.6
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
348주문 중
₩14,106.1
₩13,119.7
₩12,725.1
₩12,415.1
₩12,401
최소: 1
배수: 1
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
₩115,230.3
최소: 68
배수: 68
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
₩203,361.7
₩187,522.2
최소: 1
배수: 1
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
₩6,341.4
₩6,214.6
₩6,059.6
₩5,975
최소: 190
배수: 190
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 53 주
₩34,314
최소: 260
배수: 260
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
₩175,854.1
₩162,170.7
₩156,829.9
₩152,855.9
₩148,966.5
최소: 1
배수: 1
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 2M X 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 8 주
₩23,885.9
₩22,152.6
₩21,448
₩20,433.4
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 비재고 리드 타임 10 주
₩14,204.7
최소: 240
배수: 240
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩55,888.9
최소: 136
배수: 136
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩80,394.9
최소: 136
배수: 136
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩15,585.8
최소: 240
배수: 240
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩12,541.9
최소: 240
배수: 240
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 비재고 리드 타임 52 주
₩19,094.7
₩17,727.7
₩17,192.2
₩16,389
₩15,980.3
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩24,238.2
₩22,476.7
₩21,772.1
₩20,743.4
₩16,219.9
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩17,516.4
최소: 240
배수: 240
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩13,796.1
최소: 240
배수: 240
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩13,824.3
최소: 240
배수: 240
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩12,598.2
최소: 240
배수: 240
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩46,954.5
최소: 171
배수: 171
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩55,888.9
최소: 136
배수: 136
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩80,394.9
최소: 136
배수: 136
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩58,890.5
최소: 136
배수: 136
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray 비재고 리드 타임 30 주
₩57,904
₩53,563.7
₩51,844.5
₩50,562.1
₩48,730.1
최소: 1
배수: 1
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 256M, 8M X 32, 1.2V, 168-Ball POP FBGA Extended temp - Tray 비재고 리드 타임 35 주
₩31,833.8
₩29,508.6
₩28,578.6
₩27,874
₩26,831.2
최소: 1
배수: 1