16 bit 내장형 솔루션

내장형 솔루션의 유형

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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 3
1,667주문 중
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Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 32Mbit Multi-Purpose Flash
384예상 2026-12-04
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Industrial Temp - Tray
190주문 중
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
324예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
539예상 2026-09-14
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
540예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
950주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS. IT
1,710주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx16, IT
183주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
770주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
1,730주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
696예상 2027-01-15
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
1,404주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16, IT
209주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
1,881주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
441주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L
1,459예상 2027-07-19
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
1,500예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
1,418예상 2026-08-17
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
80주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
972주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive 2G 1.8V DDR2 128Mx16 333MHz
209예상 2026-08-05
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
179주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
136주문 중
최소: 1
배수: 1