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CoolSIC SiC MOSFET

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결과: 5

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상표명 = CoolSIC

Id - 연속 드레인 전류

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩65,415.1 1,687재고 상태 601예상 2027-01-13	제조업체 부품 번호 IMYH200R024M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMYH200R024M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,687재고 상태 601예상 2027-01-13	₩65,415.1 ₩48,208.7	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	89 A	33 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	137 nC	- 55 C	+ 150 C	576 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩37,315.6 2,329재고 상태	제조업체 부품 번호 IMYH200R050M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMYH200R050M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,329재고 상태	₩37,315.6 ₩29,889.1 ₩25,844.7 ₩24,449.6 견적 견적	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	48 A	64 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	348 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩31,608.4 724재고 상태	제조업체 부품 번호 IMYH200R075M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMYH200R075M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	724재고 상태	₩31,608.4 ₩23,618.2 ₩20,419.3	최소: 1 배수: 1 최대: 240			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	34 A	98 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	267 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩128,800.9 5,907예상 2027-09-02	제조업체 부품 번호 IMYH200R012M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMYH200R012M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	5,907예상 2027-09-02	₩128,800.9 ₩106,422.8 ₩95,867.9	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	123 A	16.5 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	246 nC	- 55 C	+ 150 C	552 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩26,563.4 3,859주문 중	제조업체 부품 번호 IMYH200R100M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMYH200R100M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	3,859주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMYH200R100M1HXKSA1 재고: 0 주문 중: 739 예상 2027-03-25 3,120 미정 공장 리드 타임: 52 주	₩26,563.4 ₩19,841.5 ₩17,150 ₩16,234 견적 견적	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	26 A	131 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	217 W	Enhancement	CoolSIC