RF Power MOSFET 반도체

반도체의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 337
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
최소: 400
배수: 400

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 비재고 리드 타임 23 주
최소: 400
배수: 400

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 비재고 리드 타임 23 주
최소: 400
배수: 400

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. N-Ch Trans 비재고 리드 타임 23 주
최소: 400
배수: 400

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. N-Ch Trans 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 100
배수: 100
: 100

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 120
배수: 120
: 120

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300
: 300

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300
: 300

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 160
배수: 160
: 160

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 100

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50



STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 28 주
최소: 60
배수: 60

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 4 Amp 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 4 Amp 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 5 Amp 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

STMicroelectronics GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000