PowerSaver 반도체

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결과: 158
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI IS62WV102416DBLL-45TLI-TR
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI IS61WV102416DBLL-10BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI IS61WV102416DBLL-10TLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI IS62WV25616EALL-55BLI-TR
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16, 55ns,1.65-2.2v,mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI IS62WV25616EALL-55TLI-TR
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16, 55ns,1.65-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI IS62WV25616EALL-55BLI
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16, 55ns,1.65-2.2v,mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 재고 없음
최소: 480
배수: 480
: 480