|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩19,905.6
-
4,017재고 상태
-
2,000예상 2026-09-03
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGT65R025D2ATMA1
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
4,017재고 상태
2,000예상 2026-09-03
|
|
|
₩19,905.6
|
|
|
₩13,837.2
|
|
|
₩11,076
|
|
|
₩9,703.2
|
|
|
₩9,032.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE140-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
₩7,238.4
-
2,404재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
771-GANE140-700BBAZ
신제품
|
Nexperia
|
GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2,404재고 상태
|
|
|
₩7,238.4
|
|
|
₩4,742.4
|
|
|
₩3,541.2
|
|
|
₩2,964
|
|
|
₩2,620.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,808
|
|
|
₩2,496
|
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|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
RF 증폭기 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
- QPA1724D
- Qorvo
-
1:
₩722,342.4
-
5재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
772-QPA1724D
신제품
|
Qorvo
|
RF 증폭기 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
|
|
5재고 상태
|
|
|
₩722,342.4
|
|
|
₩715,197.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
- GANB8R0-040CBAZ
- Nexperia
-
1:
₩3,790.8
-
2,071재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
771-GANB8R0-040CBAZ
신제품
|
Nexperia
|
GaN FET GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
|
|
2,071재고 상태
|
|
|
₩3,790.8
|
|
|
₩2,433.6
|
|
|
₩1,653.6
|
|
|
₩1,319.8
|
|
|
₩1,190.3
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,213.7
|
|
|
₩1,099.8
|
|
|
₩1,092
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
- TP65H030G4PQS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
₩16,520.4
-
332재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
227-TP65H030G4PQS-TR
신제품
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
|
|
332재고 상태
|
|
|
₩16,520.4
|
|
|
₩11,668.8
|
|
|
₩9,734.4
|
|
|
₩8,236.8
|
|
|
₩7,581.6
|
|
|
₩7,566
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
₩16,614
-
689재고 상태
-
1,300예상 2026-08-17
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
227-TP65H030G4PRS-TR
신제품
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
689재고 상태
1,300예상 2026-08-17
|
|
|
₩16,614
|
|
|
₩11,434.8
|
|
|
₩8,736
|
|
|
₩7,737.6
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,300
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
₩17,347.2
-
1,205재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
227-TP65H030G4PWS
신제품
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1,205재고 상태
|
|
|
₩17,347.2
|
|
|
₩10,498.8
|
|
|
₩8,938.8
|
|
|
₩7,768.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩7,722
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220
- TP65H100G4PS
- Renesas Electronics
-
1:
₩10,155.6
-
719재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
227-TP65H100G4PS
신제품
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220
|
|
719재고 상태
|
|
|
₩10,155.6
|
|
|
₩5,475.6
|
|
|
₩4,929.6
|
|
|
₩4,196.4
|
|
|
₩3,915.6
|
|
|
₩3,790.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
AC/DC 컨버터 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
- VIPERGAN50WTR
- STMicroelectronics
-
1:
₩4,461.6
-
1,534재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-VIPERGAN50WTR
신제품
|
STMicroelectronics
|
AC/DC 컨버터 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
|
|
1,534재고 상태
|
|
|
₩4,461.6
|
|
|
₩3,338.4
|
|
|
₩3,057.6
|
|
|
₩2,745.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,371.2
|
|
|
₩2,605.2
|
|
|
₩2,511.6
|
|
|
₩2,433.6
|
|
|
₩2,371.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버
- LMG2652RFBR
- Texas Instruments
-
1:
₩18,158.4
-
1,202재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG2652RFBR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버
|
|
1,202재고 상태
|
|
|
₩18,158.4
|
|
|
₩14,164.8
|
|
|
₩13,182
|
|
|
₩13,182
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 50
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
- LMG2656RFBR
- Texas Instruments
-
1:
₩17,456.4
-
1,997재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG2656RFBR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
|
|
1,997재고 상태
|
|
|
₩17,456.4
|
|
|
₩12,870
|
|
|
₩12,370.8
|
|
|
₩10,483.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩8,548.8
|
|
|
₩10,296
|
|
|
₩10,171.2
|
|
|
₩10,046.4
|
|
|
₩8,548.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버
- LMG3614REQR
- Texas Instruments
-
1:
₩9,906
-
1,997재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3614REQR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버
|
|
1,997재고 상태
|
|
|
₩9,906
|
|
|
₩7,597.2
|
|
|
₩7,020
|
|
|
₩6,380.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩5,974.8
|
|
|
₩6,084
|
|
|
₩5,974.8
|
|
|
₩5,974.8
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 1,001
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624REQR
- Texas Instruments
-
1:
₩9,906
-
1,789재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3624REQR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
1,789재고 상태
|
|
|
₩9,906
|
|
|
₩7,597.2
|
|
|
₩7,020
|
|
|
₩6,380.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩5,896.8
|
|
|
₩6,084
|
|
|
₩5,896.8
|
|
|
₩5,896.8
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 1,001
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
- EPC2152
- EPC
-
1:
₩14,274
-
36재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2152
신제품
|
EPC
|
게이트 드라이버 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
|
|
36재고 상태
|
|
|
₩14,274
|
|
|
₩11,091.6
|
|
|
₩10,296
|
|
|
₩9,422.4
|
|
|
₩8,751.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩9,126
|
|
|
₩8,439.6
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩11,325.6
-
2,143재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLD65R055D2AUMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,143재고 상태
|
|
|
₩11,325.6
|
|
|
₩7,644
|
|
|
₩5,553.6
|
|
|
₩5,272.8
|
|
|
₩4,836
|
|
|
₩4,290
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R080D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩9,484.8
-
2,679재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLD65R080D2AUMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,679재고 상태
|
|
|
₩9,484.8
|
|
|
₩6,333.6
|
|
|
₩4,555.2
|
|
|
₩4,149.6
|
|
|
₩4,009.2
|
|
|
₩3,385.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R110D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩7,472.4
-
2,561재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLD65R110D2AUMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,561재고 상태
|
|
|
₩7,472.4
|
|
|
₩4,836
|
|
|
₩3,494.4
|
|
|
₩3,026.4
|
|
|
₩2,449.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R140D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩6,411.6
-
2,657재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLD65R140D2AUMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,657재고 상태
|
|
|
₩6,411.6
|
|
|
₩4,040.4
|
|
|
₩2,948.4
|
|
|
₩2,449.2
|
|
|
₩2,012.4
|
|
|
₩1,996.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩6,084
-
4,511재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLR65R140D2XUMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,511재고 상태
|
|
|
₩6,084
|
|
|
₩3,993.6
|
|
|
₩2,792.4
|
|
|
₩2,293.2
|
|
|
₩2,199.6
|
|
|
₩1,856.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩4,477.2
-
4,825재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLR65R200D2XUMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,825재고 상태
|
|
|
₩4,477.2
|
|
|
₩2,901.6
|
|
|
₩1,996.8
|
|
|
₩1,606.8
|
|
|
₩1,254.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,500.7
|
|
|
₩1,472.6
|
|
|
₩1,224.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩3,900
-
4,720재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLR65R270D2XUMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,720재고 상태
|
|
|
₩3,900
|
|
|
₩2,511.6
|
|
|
₩1,716
|
|
|
₩1,366.6
|
|
|
₩1,062.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,243.3
|
|
|
₩1,224.6
|
|
|
₩1,015.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩13,369.2
-
1,173재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLT65R045D2ATMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,173재고 상태
|
|
|
₩13,369.2
|
|
|
₩9,094.8
|
|
|
₩6,676.8
|
|
|
₩6,567.6
|
|
|
₩5,366.4
|
|
|
₩5,350.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R110D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩7,363.2
-
1,495재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLT65R110D2ATMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,495재고 상태
|
|
|
₩7,363.2
|
|
|
₩4,867.2
|
|
|
₩3,447.6
|
|
|
₩2,964
|
|
|
₩2,402.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩20,935.2
-
878재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGOT65R025D2AUMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
878재고 상태
|
|
|
₩20,935.2
|
|
|
₩15,490.8
|
|
|
₩12,916.8
|
|
|
₩11,200.8
|
|
|
₩9,391.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R035D2AUMA1
- Infineon Technologies
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1:
₩17,206.8
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482재고 상태
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신제품
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Mouser 부품 번호
726-IGOT65R035D2AUMA
신제품
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Infineon Technologies
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GaN FET HV GAN DISCRETES
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482재고 상태
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₩17,206.8
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₩11,871.6
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₩9,141.6
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₩7,472.4
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₩7,456.8
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최소: 1
배수: 1
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800
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