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게이트 드라이버 LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN7126GXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩1,216.8
-
3,313재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
726-1EDN7126GXTMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
게이트 드라이버 LOW SIDE DRIVERS
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3,313재고 상태
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최소: 1
배수: 1
:
4,000
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AC/DC 컨버터 ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G03DBR2G
- NCP1568G03DBR2G
- onsemi
-
1:
₩2,854.8
-
2,309재고 상태
-
수명 종료
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Mouser 부품 번호
863-NCP1568G03DBR2G
수명 종료
|
onsemi
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AC/DC 컨버터 ACTIVE CLAMP FLYBACK
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2,309재고 상태
|
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최소: 1
배수: 1
:
2,500
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AC/DC 컨버터 ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G04DBR2G
- NCP1568G04DBR2G
- onsemi
-
1:
₩7,410
-
2,418재고 상태
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
863-NCP1568G04DBR2G
수명 종료
|
onsemi
|
AC/DC 컨버터 ACTIVE CLAMP FLYBACK
|
|
2,418재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
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GaN FET 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362802FC-V1-R0
- MACOM
-
제한된 구매 가능 제품
-
공장 특별 주문
|
Mouser 부품 번호
941-GTRA362802FCV1R0
공장 특별 주문
|
MACOM
|
GaN FET 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
현재 Mouser는 귀하의 거주 지역에서는 이 제품을 판매하지 않습니다.
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GaN FET 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362002FC-V1-R0
- MACOM
-
제한된 구매 가능 제품
-
공장 특별 주문
|
Mouser 부품 번호
941-GTRA362002FCV1R0
공장 특별 주문
|
MACOM
|
GaN FET 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
현재 Mouser는 귀하의 거주 지역에서는 이 제품을 판매하지 않습니다.
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RF 증폭기 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
- MAPC-A1501-AS000
- MACOM
-
1:
₩951,210
-
13재고 상태
-
공장 특별 주문
|
Mouser 부품 번호
937-MAPC-A1501-AS000
공장 특별 주문
|
MACOM
|
RF 증폭기 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
|
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13재고 상태
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최소: 1
배수: 1
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GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
₩219,507.6
-
17재고 상태
-
공장 특별 주문
|
Mouser 부품 번호
941-GTVA262711FAV2R0
공장 특별 주문
|
MACOM
|
GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
17재고 상태
|
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최소: 1
배수: 1
:
50
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GaN FET 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA364002FC-V1-R0
- MACOM
-
제한된 구매 가능 제품
-
공장 특별 주문
|
Mouser 부품 번호
941-GTRA364002FCV1R0
공장 특별 주문
|
MACOM
|
GaN FET 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
현재 Mouser는 귀하의 거주 지역에서는 이 제품을 판매하지 않습니다.
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GaN FET 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262701FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
₩320,689.2
-
53재고 상태
-
공장 특별 주문
|
Mouser 부품 번호
941-GTVA262701FAV2R0
공장 특별 주문
|
MACOM
|
GaN FET 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
53재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
50
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게이트 드라이버 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
- LMG3411R050RWHT
- Texas Instruments
-
1:
₩49,998
-
37재고 상태
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3411R050RWHT
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
|
|
37재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
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게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
- LMG3410R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
₩19,702.8
-
110재고 상태
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3410R150RWHT
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
|
|
110재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
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게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
- LMG3411R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
₩22,542
-
140재고 상태
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3411R150RWHT
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
|
|
140재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
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|
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG612QTR
- STMicroelectronics
-
1:
₩5,974.8
-
870재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-STDRIVEG612QTR
신제품
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
870재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
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|
|
GaN FET CoolGaN Drive HB 600 V G5
- IGI60L1111B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩10,592.4
-
2,655재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGI60L1111B1MXUM
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Drive HB 600 V G5
|
|
2,655재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L1414B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩12,729.6
-
2,940재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGI60L1414B1MXUM
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,940재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L2727B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩7,238.4
-
2,460재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGI60L2727B1MXUM
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,460재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L5050B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩5,678.4
-
2,620재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGI60L5050B1MXUM
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,620재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK048B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩3,619.2
-
3,456재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGK048B041SXTSA1
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
3,456재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
- NTD100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
₩5,085.6
-
2,440재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTD100N70GN1TXG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
|
|
2,440재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
- NTD170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
₩3,775.2
-
2,488재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTD170N70GN1TXG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
|
|
2,488재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8
- NTMT100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
₩5,506.8
-
2,443재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTMT100N70GN1TXG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8
|
|
2,443재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8
- NTMT130N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
₩5,023.2
-
2,472재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTMT130N70GN1TXG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8
|
|
2,472재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8
- NTMT170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
₩4,430.4
-
2,500재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTMT170N70GN1TXG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8
|
|
2,500재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT1D5R10MEA
- STMicroelectronics
-
1:
₩13,244.4
-
318재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT1D5R10MEA
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
318재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 50
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT3D5R10MEB
- STMicroelectronics
-
1:
₩6,286.8
-
333재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT3D5R10MEB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
333재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 50
:
3,000
|
|
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