GaN 반도체

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MACOM GaN FET GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 50

MACOM GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 50

Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless 15재고 상태
최소: 1
배수: 1

Power Integrations AC/DC 컨버터 65 W (85-265 VAC) 4,271재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Power Integrations AC/DC 컨버터 45 W (85-265 VAC) 1,933재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Power Integrations AC/DC 컨버터 90 W (85-265 VAC) 1,785재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

MACOM GaN FET Amplifier, 240W, 3.1GHz, GaN HEMT, 28V

MACOM GaN FET 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Infineon Technologies 게이트 드라이버 LOW SIDE DRIVERS 3,382재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Qorvo RF 증폭기 8-11 GHz GaN LNA 75재고 상태
100예상 2026-10-22
최소: 1
배수: 1
: 100

Power Integrations AC/DC 컨버터 85 W (85-265 VAC) 1,810재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi AC/DC 컨버터 ACTIVE CLAMP FLYBACK 2,322재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MACOM RF 증폭기 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz 13재고 상태
최소: 1
배수: 1

Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR 110재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR 140재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 337재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 675재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 689재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

STMicroelectronics 게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 781재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Analog Devices RF 증폭기 1-22GHz 15W PA
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

Texas Instruments 게이트 드라이버 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 2,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

Texas Instruments 게이트 드라이버 650V 270mohm GaN FET with integrated dri 2,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2,139재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

EPC 게이트 드라이버 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 1,318재고 상태
6,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000