35 인덕터, 초크 및 코일

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종단 스타일
최고 작동온도
자격
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.8 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.8 nH 0.2 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.8 nH 0.5 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.8 nH 2 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.9 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.9 nH 0.2 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.9 nH 0.5 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.9 nH 2 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.1 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.1 nH 0.2 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.1 nH 0.5 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.1 nH 2 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.2 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.2 nH 0.2 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.2 nH 0.5 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.2 nH 2 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.3 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.3 nH 0.2 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.3 nH 0.5 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.3 nH 2 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.4 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.4 nH 0.2 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.4 nH 0.5 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.4 nH 2 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

5.5 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C