35 인덕터, 초크 및 코일

결과: 1,673
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수량 RoHS 인덕턴스
공차
최대 DC 전류
종단 스타일
최고 작동온도
자격
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

8.7 nH 3 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

8.7 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

9.1 nH 3 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

9.1 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

9.5 nH 3 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

9.5 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

12 nH 2 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

12 nH 3 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

12 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

12 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

15 nH 2 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

15 nH 3 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

15 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

18 nH 2 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

18 nH 3 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

18 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

18 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.3 nH 2 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.3 nH 3 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.3 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 22,000
배수: 2,000
: 2,000

910 nH 2 % 380 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 22,000
배수: 2,000
: 2,000

910 nH 5 % 380 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 22,000
배수: 2,000
: 2,000

910 nH 10 % 380 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 12,000
배수: 4,000
: 4,000

2.1 nH 0.2 nH SMD/SMT + 125 C