35 인덕터, 초크 및 코일

결과: 1,673
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 인덕턴스
공차
최대 DC 전류
종단 스타일
최고 작동온도
자격
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD 3.3nH RDC=0.045Ohms 700mA
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 28,000
배수: 4,000
: 4,000

3.3 nH 3 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

10 nH 2 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

10 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

11 nH 2 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

11 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

12 nH 2 % 600 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

12 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

13 nH 2 % 600 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

13 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

3.9 nH 3 % 850 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

3.9 nH 5 % 850 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

4.3 nH 3 % 850 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

4.3 nH 5 % 850 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

4.7 nH 3 % 850 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

4.7 nH 5 % 850 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

5.6 nH 3 % 750 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

5.6 nH 5 % 750 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

6.2 nH 3 % 750 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

6.2 nH 5 % 750 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

6.8 nH 3 % 750 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

6.8 nH 5 % 750 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

7.5 nH 3 % 750 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

7.5 nH 5 % 750 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

8.2 nH 3 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics RF 인덕터 - SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 20,000
배수: 4,000
: 4,000

8.2 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200