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Broadcom / Avago 디지털 절연체 Digital Isolator 100MBd 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
없음
Broadcom / Avago 디지털 절연체 Digital Isolator 100MBd 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
없음
Renesas Electronics SRAM 64K X 8K 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Renesas Electronics SRAM 4KX9 SYNC DUAL PORT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 48
배수: 6
없음
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
없음
Skyworks Solutions, Inc. SI8640ED-B-YSR
Skyworks Solutions, Inc. 디지털 절연체 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,250
배수: 1,250
: 1,250

Skyworks Solutions, Inc. SI8640ED-B-YS
Skyworks Solutions, Inc. 디지털 절연체 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135


ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,256K x 16,45ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500