GaN 반도체

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수량 RoHS
Renesas Electronics MOSFET Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
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비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Renesas Electronics MOSFET Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,300
배수: 1,300
: 1,300

Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,300
배수: 1,300
: 1,300

Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Mini-Circuits RF 증폭기 SMT MMIC, Low Noise, Linear, pHEMT Amplifier, 500 MHz to 2500 MHz, 50ohm
데이터시트
비재고 리드 타임 17 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 500

CML Micro RF 증폭기 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 500
배수: 500
: 500
Renesas Electronics GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Renesas Electronics GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,200
배수: 600

Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500