|
|
AC/DC 컨버터 115 W (85-264 VAC)
- INN5376F-H904-TL
- Power Integrations
-
1:
₩7,831.2
-
3,599재고 상태
|
Mouser 부품 번호
869-INN5376F-H904-TL
|
Power Integrations
|
AC/DC 컨버터 115 W (85-264 VAC)
|
|
3,599재고 상태
|
|
|
₩7,831.2
|
|
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₩5,974.8
|
|
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₩5,506.8
|
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|
₩5,085.6
|
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|
보기
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|
|
₩4,508.4
|
|
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₩4,882.8
|
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₩4,867.2
|
|
|
₩4,851.6
|
|
|
₩4,508.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ITK
- STMicroelectronics
-
1:
₩4,477.2
-
2,500예상 2026-11-20
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT240R70ITK
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
2,500예상 2026-11-20
|
|
|
₩4,477.2
|
|
|
₩2,215.2
|
|
|
₩1,996.8
|
|
|
₩1,606.8
|
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|
₩1,338.5
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,547.5
|
|
|
₩1,227.7
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR
- LMG5200MOFT
- Texas Instruments
-
1:
₩28,095.6
-
402예상 2027-03-04
|
Mouser 부품 번호
595-LMG5200MOFT
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR
|
|
402예상 2027-03-04
|
|
|
₩28,095.6
|
|
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₩22,292.4
|
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|
₩20,841.6
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|
₩19,297.2
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₩18,392.4
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|
보기
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|
₩17,908.8
|
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|
₩17,550
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견적
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최소: 1
배수: 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
₩3,790.8
-
12,099예상 2026-10-09
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2057
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
12,099예상 2026-10-09
|
|
|
₩3,790.8
|
|
|
₩1,856.4
|
|
|
₩1,653.6
|
|
|
₩1,319.8
|
|
|
₩1,096.7
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,277.6
|
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|
₩989
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2106
- EPC
-
1:
₩4,555.2
-
4,544예상 2027-01-01
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2106
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
4,544예상 2027-01-01
|
|
|
₩4,555.2
|
|
|
₩2,324.4
|
|
|
₩2,028
|
|
|
₩1,638
|
|
|
₩1,399.3
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,575.6
|
|
|
₩1,280.8
|
|
|
₩1,255.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2110
- EPC
-
1:
₩5,335.2
-
2,500예상 2026-09-17
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2110
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
2,500예상 2026-09-17
|
|
|
₩5,335.2
|
|
|
₩2,683.2
|
|
|
₩2,418
|
|
|
₩1,965.6
|
|
|
₩1,638
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,934.4
|
|
|
₩1,560
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2221
- EPC
-
1:
₩5,912.4
-
2,500예상 2026-11-20
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2221
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
2,500예상 2026-11-20
|
|
|
₩5,912.4
|
|
|
₩2,995.2
|
|
|
₩2,698.8
|
|
|
₩2,199.6
|
|
|
₩1,856.4
|
|
|
₩1,794
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R055D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩11,169.6
-
3,596주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGLT65R055D2ATMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
3,596주문 중
|
|
|
₩11,169.6
|
|
|
₩6,848.4
|
|
|
₩5,694
|
|
|
₩5,210.4
|
|
|
₩4,383.6
|
|
|
₩4,383.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
RF 증폭기 10.7-12.7GHz17WPAPHS
- QPA1009
- Qorvo
-
1:
₩719,815.2
-
20예상 2026-12-31
|
Mouser 부품 번호
772-QPA1009
|
Qorvo
|
RF 증폭기 10.7-12.7GHz17WPAPHS
|
|
20예상 2026-12-31
|
|
|
₩719,815.2
|
|
|
₩622,923.6
|
|
|
₩598,665.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
RF 스위치 IC 50W 0.15-2.8GHz GaN SPDT
- QPC1005
- Qorvo
-
1:
₩243,734.4
-
100예상 2027-02-23
|
Mouser 부품 번호
772-QPC1005
|
Qorvo
|
RF 스위치 IC 50W 0.15-2.8GHz GaN SPDT
|
|
100예상 2027-02-23
|
|
|
₩243,734.4
|
|
|
₩206,497.2
|
|
|
₩199,914
|
|
|
₩199,914
|
|
최소: 1
배수: 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
- QPD1008
- Qorvo
-
1:
₩702,000
-
19예상 2026-09-29
|
Mouser 부품 번호
772-QPD1008
|
Qorvo
|
GaN FET DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
|
|
19예상 2026-09-29
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
RF 증폭기 8-11GHzGaNLNA
- QPL1000SR
- Qorvo
-
1:
₩179,306.4
-
100예상 2026-12-24
|
Mouser 부품 번호
772-QPL1000SR
|
Qorvo
|
RF 증폭기 8-11GHzGaNLNA
|
|
100예상 2026-12-24
|
|
|
₩179,306.4
|
|
|
₩149,978.4
|
|
|
₩138,231.6
|
|
|
₩137,077.2
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
100
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
- NCP58920MNTWG
- onsemi
-
1:
₩15,147.6
-
2,975예상 2026-10-13
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NCP58920MNTWG
신제품
|
onsemi
|
게이트 드라이버 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
|
|
2,975예상 2026-10-13
|
|
|
₩15,147.6
|
|
|
₩10,374
|
|
|
₩7,878
|
|
|
₩7,737.6
|
|
|
₩7,737.6
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 300
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool
- NTLCC3D5N10GN1TWG
- onsemi
-
1:
₩8,829.6
-
2,500예상 2027-06-25
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-TLCC3D5N10GN1TWG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool
|
|
2,500예상 2027-06-25
|
|
|
₩8,829.6
|
|
|
₩5,787.6
|
|
|
₩4,258.8
|
|
|
₩4,258.8
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 250
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool
- NTLCC5D0N10GN1TWG
- onsemi
-
1:
₩6,302.4
-
2,500예상 2027-06-25
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-TLCC5D0N10GN1TWG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool
|
|
2,500예상 2027-06-25
|
|
|
₩6,302.4
|
|
|
₩4,134
|
|
|
₩3,073.2
|
|
|
₩3,073.2
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 250
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
- CGH40010P
- MACOM
-
1:
₩172,192.8
-
117예상 2026-11-17
|
Mouser 부품 번호
941-CGH40010P
|
MACOM
|
GaN FET 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
|
|
117예상 2026-11-17
|
|
|
₩172,192.8
|
|
|
₩143,239.2
|
|
|
₩140,618.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
RF 증폭기 MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH
- CMPA2735030S
- MACOM
-
1:
₩510,291.6
-
25예상 2026-09-09
|
Mouser 부품 번호
941-CMPA2735030S
|
MACOM
|
RF 증폭기 MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH
|
|
25예상 2026-09-09
|
|
|
₩510,291.6
|
|
|
₩432,697.2
|
|
|
₩432,697.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
25
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
- MASTERGAN5
- STMicroelectronics
-
1:
₩11,606.4
-
62재고 상태
|
Mouser 부품 번호
511-MASTERGAN5
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
|
|
62재고 상태
|
|
|
₩11,606.4
|
|
|
₩8,970
|
|
|
₩8,299.2
|
|
|
₩7,222.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩7,004.4
|
|
|
₩6,832.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT3D5R10MEB
- STMicroelectronics
-
1:
₩5,803.2
-
500예상 2026-09-14
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT3D5R10MEB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
500예상 2026-09-14
|
|
|
₩5,803.2
|
|
|
₩3,790.8
|
|
|
₩2,761.2
|
|
|
₩2,308.8
|
|
|
₩1,996.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,137.2
|
|
|
₩1,809.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
- STDRIVEG210QTR
- STMicroelectronics
-
1:
₩4,680
-
700주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-STDRIVEG210QTR
신제품
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
|
|
700주문 중
|
|
|
₩4,680
|
|
|
₩3,494.4
|
|
|
₩3,198
|
|
|
₩3,198
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 50
:
3,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
- STDRIVEG211QTR
- STMicroelectronics
-
1:
₩4,680
-
700주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-STDRIVEG211QTR
신제품
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
|
|
700주문 중
|
|
|
₩4,680
|
|
|
₩3,494.4
|
|
|
₩3,198
|
|
|
₩3,198
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 50
:
3,000
|
|
|
|
|
RF 증폭기 30 MHz to 2.7 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, High Power, 8W Psat, 36dB Tx Gain, 1 microsec speed, Manual T/R Control
- FM15B5003
- Fairview Microwave
-
1:
₩16,763,151.6
-
1구매 가능한 공장 재고품
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
67-FM15B5003
Mouser의 신규
|
Fairview Microwave
|
RF 증폭기 30 MHz to 2.7 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, High Power, 8W Psat, 36dB Tx Gain, 1 microsec speed, Manual T/R Control
|
|
1구매 가능한 공장 재고품
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
RF 증폭기 5.125 GHz to 5.875 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 10W Psat, 43dB Tx Gain, 20% Efficiency, 2 microsec speed, Autosensing
- FM15B5006
- Fairview Microwave
-
1:
₩20,688,517.2
-
2구매 가능한 공장 재고품
|
Mouser 부품 번호
67-FM15B5006
|
Fairview Microwave
|
RF 증폭기 5.125 GHz to 5.875 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 10W Psat, 43dB Tx Gain, 20% Efficiency, 2 microsec speed, Autosensing
|
|
2구매 가능한 공장 재고품
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
RF 증폭기 4.4 GHz to 4.9 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 15W Psat, 45dB Tx Gain, 35% Efficiency, 2 microsec speed, Manual T/R Control
- FM15B5004
- Fairview Microwave
-
1:
₩27,417,795.6
-
1구매 가능한 공장 재고품
|
Mouser 부품 번호
67-FM15B5004
|
Fairview Microwave
|
RF 증폭기 4.4 GHz to 4.9 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 15W Psat, 45dB Tx Gain, 35% Efficiency, 2 microsec speed, Manual T/R Control
|
|
1구매 가능한 공장 재고품
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
RF 증폭기 42 dB Gain GaN Input Protected Low Noise Amplifier Operating from 1 GHz to 7 GHz with 1.5 dB NF, 25 dBm Psat and SMA
- FMAM1075
- Fairview Microwave
-
1:
₩10,089,331.2
-
1구매 가능한 공장 재고품
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
67-FMAM1075
Mouser의 신규
|
Fairview Microwave
|
RF 증폭기 42 dB Gain GaN Input Protected Low Noise Amplifier Operating from 1 GHz to 7 GHz with 1.5 dB NF, 25 dBm Psat and SMA
|
|
1구매 가능한 공장 재고품
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
