GaN 반도체

결과: 680
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Texas Instruments 갈바닉 절연 게이트 드라이버 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21540ADWK 723재고 상태
2,000예상 2026-12-17
최소: 1
배수: 1
: 2,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3 5재고 상태
6,500예상 2027-01-01
최소: 1
배수: 1
: 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 968재고 상태
20,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Infineon Technologies 게이트 드라이버 LOW SIDE DRIVERS 3,172재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000



Infineon Technologies 게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER 525재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Qorvo GaN FET DC-4GHz 45W GaN 48V 5재고 상태
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 250

Power Integrations AC/DC 컨버터 65 W (85-265 VAC) 86재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 1재고 상태
20예상 2026-09-25
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 161재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

Texas Instruments 게이트 드라이버 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT
14,406주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRR
7,098주문 중
최소: 1
배수: 1
: 250

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
28,023주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
12,690예상 2027-02-10
최소: 1
배수: 1
: 1,000

EPC 게이트 드라이버 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
3,000예상 2026-12-24
최소: 1
배수: 1
: 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
62,957주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
9,070주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Qorvo RF 증폭기 Ku-Band15.4-17.7GHZ,35W
30예상 2026-09-11
최소: 1
배수: 1

Qorvo GaN FET DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
500예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1
: 500

Qorvo RF 증폭기 1-6GHz,40W,PAModule
40예상 2026-10-05
최소: 1
배수: 1

onsemi 게이트 드라이버 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2,975예상 2026-10-16
최소: 1
배수: 1
최대: 300
: 3,000

onsemi 게이트 드라이버 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
3,000예상 2026-10-12
최소: 1
배수: 1
최대: 300
: 3,000

onsemi GaN FET 650V, 35MR LGAN TOLL
2,400예상 2026-10-26
최소: 1
배수: 1
: 1,200

onsemi GaN FET 650V, 35MR LGAN TOLT
2,400예상 2027-04-09
최소: 1
배수: 1
: 1,200

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
1,235예상 2026-09-18
최소: 1
배수: 1

MACOM GaN FET 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
262주문 중
최소: 1
배수: 1