TSOP-48 반도체

반도체의 유형

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결과: 300
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Microchip Technology NOR 플래시 2M X 16 70ns 비재고 리드 타임 14 주
최소: 192
배수: 96

Microchip Technology NOR 플래시 32M (2Mx16) 70ns 2.7-3.6V Commercial 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Greenliant NOR 플래시 32Mbit (x8/x16) Concurrent SuperFlash (CSF ), Top Boot 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Greenliant NOR 플래시 32Mbit (x8/x16) Concurrent SuperFlash Top Boot I-TEMP 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Greenliant NOR 플래시 32Mbit (x8/x16) Concurrent SuperFlash Bottom Boot I-TEMP 재고 없음
최소: 1
배수: 1

GigaDevice GD9FS2G8F2BMGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
GigaDevice GD9FS4G8F4BMGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
GigaDevice GD9FS8G8E4BMGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
GigaDevice GD9FU2G8F2BMGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
GigaDevice GD9FU4G8F4BMGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
GigaDevice GD9FU8G8E4BMGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
Infineon Technologies S29GL064S70TFI073
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies S29GL064S80TFB043
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96


ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500