TSOP-32 반도체

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ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,1.65v-2.2v, 32 Pin TSOP (8x20 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,55ns,2.5v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v, 32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

Alliance Memory SRAM 1M, 5V, 20ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 156
배수: 156

Alliance Memory SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM 1M, 5V, 20ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 128K x 8, 3.3V, 32pin TSOP I, 15ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 156
배수: 156

Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 128K x 8, 3.3V, 32pin TSOP I, 20ns, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 8 주
최소: 156
배수: 156

Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 128K x 8, 3.3V, 32pin TSOP I, 12ns, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 128K x 8, 3.3V, 32pin TSOP I, 15ns, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 128K x 8, 3.3V, 32pin TSOP I, 20ns, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin SOP, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin SOP, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 234
배수: 234

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1