TO-3P-3 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

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STMicroelectronics SCR 50 Amp 800 Volt 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 20 Amps 600V 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET 비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) 재고 없음
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET 비재고 리드 타임 40 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET 비재고 리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds 비재고 리드 타임 21 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds 재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds 재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds 리드 타임 21 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds 리드 타임 21 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds 비재고 리드 타임 22 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds 비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds 비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds 비재고 리드 타임 31 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds 재고 없음
최소: 30
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 30 Amps 500V 재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds 비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3