|
|
MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
- IXTQ88N30P
- IXYS
-
1:
₩25,116
-
259재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ88N30P
|
IXYS
|
MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
|
|
259재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SA1943N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
₩6,224.4
-
5,498재고 상태
|
Mouser 부품 번호
757-2SA1943N(S1ES)
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
5,498재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 150W
- NJW0281G
- onsemi
-
1:
₩7,144.8
-
3,844재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NJW0281G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 150W
|
|
3,844재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 150W
- NJW0302G
- onsemi
-
1:
₩7,285.2
-
2,974재고 상태
-
630예상 2027-04-16
|
Mouser 부품 번호
863-NJW0302G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 150W
|
|
2,974재고 상태
630예상 2027-04-16
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W TO-3P PNP
- NJW1302G
- onsemi
-
1:
₩9,406.8
-
5,287재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NJW1302G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W TO-3P PNP
|
|
5,287재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 40
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W PNP
- NJW21193G
- onsemi
-
1:
₩7,924.8
-
1,104재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NJW21193G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W PNP
|
|
1,104재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 40
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W NPN
- NJW21194G
- onsemi
-
1:
₩7,924.8
-
814재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NJW21194G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W NPN
|
|
814재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200 W BETA AUDIO
- NJW3281G
- onsemi
-
1:
₩8,767.2
-
1,903재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NJW3281G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200 W BETA AUDIO
|
|
1,903재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 40
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
- 2SA1943-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
₩7,113.6
-
591재고 상태
|
Mouser 부품 번호
757-2SA1943-OS1F
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
|
|
591재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
IGBT 600V/30A DIS
- GT30J121(Q)
- Toshiba
-
1:
₩7,222.8
-
131재고 상태
|
Mouser 부품 번호
757-GT30J121(Q)
|
Toshiba
|
IGBT 600V/30A DIS
|
|
131재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 200V
- DPG60C200QB
- IXYS
-
1:
₩13,759.2
-
4재고 상태
-
30예상 2027-05-17
|
Mouser 부품 번호
747-DPG60C200QB
|
IXYS
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 200V
|
|
4재고 상태
30예상 2027-05-17
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 300V
- DPG60C300QB
- IXYS
-
1:
₩14,133.6
-
6재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-DPG60C300QB
|
IXYS
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 300V
|
|
6재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- IXFQ20N50P3
- IXYS
-
1:
₩12,729.6
-
71재고 상태
-
1,200예상 2026-11-04
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ20N50P3
|
IXYS
|
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
|
|
71재고 상태
1,200예상 2026-11-04
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
- IXFQ72N30X3
- IXYS
-
1:
₩21,325.2
-
4재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ72N30X3
|
IXYS
|
MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
|
|
4재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
- IXFQ94N30P3
- IXYS
-
1:
₩24,523.2
-
152재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ94N30P3
|
IXYS
|
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
|
|
152재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
- IXTQ110N10P
- IXYS
-
1:
₩15,958.8
-
69재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ110N10P
|
IXYS
|
MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
|
|
69재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
- IXTQ14N60P
- IXYS
-
1:
₩11,341.2
-
219재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ14N60P
|
IXYS
|
MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
|
|
219재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
- IXTQ22N60P
- IXYS
-
1:
₩15,553.2
-
34재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ22N60P
|
IXYS
|
MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
|
|
34재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
- IXTQ26N50P
- IXYS
-
1:
₩15,553.2
-
262재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ26N50P
|
IXYS
|
MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
|
|
262재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
- IXTQ36N30P
- IXYS
-
1:
₩11,668.8
-
230재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ36N30P
|
IXYS
|
MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
|
|
230재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET PolarP2 Power MOSFET
- IXTQ460P2
- IXYS
-
1:
₩13,587.6
-
115재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ460P2
|
IXYS
|
MOSFET PolarP2 Power MOSFET
|
|
115재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
- IXTQ52P10P
- IXYS
-
1:
₩16,723.2
-
260재고 상태
-
300예상 2026-12-29
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ52P10P
|
IXYS
|
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
|
|
260재고 상태
300예상 2026-12-29
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
- IXTQ75N10P
- IXYS
-
1:
₩11,668.8
-
128재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ75N10P
|
IXYS
|
MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
|
|
128재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
- IXTQ96N20P
- IXYS
-
1:
₩18,907.2
-
117재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ96N20P
|
IXYS
|
MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
|
|
117재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SC5200N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
₩5,787.6
-
766재고 상태
-
7,250주문 중
|
Mouser 부품 번호
757-2SC5200N(S1ES)
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
766재고 상태
7,250주문 중
주문 중:
2,325 예상 2026-11-23
4,925 예상 2027-02-22
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|