TO-3P-3 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

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IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 292재고 상태
300예상 2027-02-24
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds 263재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2,641재고 상태
3,600예상 2026-12-14
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2,254재고 상태
2,825예상 2027-01-15
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 150W 1,575재고 상태
1,350예상 2026-08-25
최소: 1
배수: 1
최대: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 150W 2,866재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 200W TO-3P PNP 6,270재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 120

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 200W PNP 817재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 200W NPN 937재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 309재고 상태
625예상 2026-10-16
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 234재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBT 600V/30A DIS 134재고 상태
최소: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 1200 Volt 76재고 상태
4,200주문 중
최소: 1
배수: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 40 Amp 600 Volt 59재고 상태
3,000주문 중
최소: 1
배수: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 120 Amps 300V 28재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 200V 8재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 300V 9재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 400V 30재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds 69재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds 220재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds 34재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds 117재고 상태
300예상 2026-08-10
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds 358재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET 130재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds 184재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3