TO-3P-3 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 139
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds 259재고 상태
₩25,116
₩14,242.8
₩14,180.4
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 5,498재고 상태
₩6,224.4
₩3,213.6
₩2,589.6
₩2,386.8
최소: 1
배수: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 150W 3,844재고 상태
₩7,144.8
₩4,102.8
최소: 1
배수: 1
최대: 60
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 150W 2,974재고 상태
630예상 2027-04-16
₩7,285.2
₩4,227.6
최소: 1
배수: 1
최대: 60
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 200W TO-3P PNP 5,287재고 상태
₩9,406.8
₩5,397.6
최소: 1
배수: 1
최대: 40
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 200W PNP 1,104재고 상태
₩7,924.8
₩4,446
최소: 1
배수: 1
최대: 40
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 200W NPN 814재고 상태
₩7,924.8
₩4,446
최소: 1
배수: 1
최대: 60
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 200 W BETA AUDIO 1,903재고 상태
₩8,767.2
₩5,382
최소: 1
배수: 1
최대: 40
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 591재고 상태
₩7,113.6
₩4,056
₩4,040.4
₩3,837.6
최소: 1
배수: 1
BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBT 600V/30A DIS 131재고 상태
₩7,222.8
₩4,773.6
₩3,744
₩2,761.2
₩2,730
최소: 1
배수: 1
IGBTs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 200V 4재고 상태
30예상 2027-05-17
₩13,759.2
₩8,642.4
₩6,988.8
₩6,676.8
최소: 1
배수: 1
Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 300V 6재고 상태
₩14,133.6
₩7,675.2
₩7,020
₩6,302.4
최소: 1
배수: 1
Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 71재고 상태
1,200예상 2026-11-04
₩12,729.6
₩7,971.6
₩6,770.4
₩5,803.2
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) 4재고 상태
₩21,325.2
₩16,239.6
₩12,090
₩11,278.8
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 152재고 상태
₩24,523.2
₩13,868.4
₩13,852.8
₩11,840.4
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds 69재고 상태
₩15,958.8
₩10,077.6
₩7,737.6
₩7,503.6
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds 219재고 상태
₩11,341.2
₩5,928
₩5,428.8
₩5,007.6
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds 34재고 상태
₩15,553.2
₩10,077.6
₩7,737.6
₩7,597.2
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds 262재고 상태
₩15,553.2
₩8,392.8
₩7,737.6
₩7,503.6
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds 230재고 상태
₩11,668.8
₩6,115.2
₩5,600.4
₩5,194.8
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET 115재고 상태
₩13,587.6
₩7,238.4
₩6,645.6
₩6,349.2
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 260재고 상태
300예상 2026-12-29
₩16,723.2
₩9,157.2
₩8,455.2
₩7,862.4
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds 128재고 상태
₩11,668.8
₩6,115.2
₩5,600.4
₩5,132.4
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds 117재고 상태
₩18,907.2
₩10,405.2
₩10,389.6
₩9,796.8
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 766재고 상태
7,250주문 중
₩5,787.6
₩3,244.8
₩2,620.8
₩2,168.4
최소: 1
배수: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3