|
|
MOSFET Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3P04BBKHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩3,198
-
2,184재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
755-RD3P04BBKHRBTL
신제품
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,184재고 상태
|
|
|
₩3,198
|
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|
₩2,043.6
|
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₩1,374.4
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₩1,088.9
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₩897
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보기
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₩998.4
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₩887.6
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최소: 1
배수: 1
:
2,500
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|
GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE240-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
₩5,491.2
-
2,488재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
771-GANE240-700BBAZ
신제품
|
Nexperia
|
GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2,488재고 상태
|
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|
₩5,491.2
|
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₩3,572.4
|
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₩2,558.4
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₩2,137.2
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₩1,887.6
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보기
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₩2,028
|
|
|
₩1,794
|
|
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₩1,778.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
LDO 전압 레귤레이터 Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
- TL720M05GQKVURQ1M3
- Texas Instruments
-
1:
₩4,742.4
-
2,426재고 상태
|
Mouser 부품 번호
595-TL720M05GQKVUQ1M
|
Texas Instruments
|
LDO 전압 레귤레이터 Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
|
|
2,426재고 상태
|
|
|
₩4,742.4
|
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₩3,556.8
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₩3,260.4
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₩2,917.2
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보기
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₩2,589.6
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₩2,761.2
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₩2,714.4
|
|
|
₩2,589.6
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|
₩2,589.6
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|
최소: 1
배수: 1
최대: 1,001
:
2,500
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|
LDO 전압 레귤레이터 Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
- TL720M05QKVURQ1M3
- Texas Instruments
-
1:
₩4,742.4
-
2,479재고 상태
|
Mouser 부품 번호
595-TL720M05QKVURQ1M
|
Texas Instruments
|
LDO 전압 레귤레이터 Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
|
|
2,479재고 상태
|
|
|
₩4,742.4
|
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₩3,556.8
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|
₩3,260.4
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₩2,917.2
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|
보기
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|
|
₩2,589.6
|
|
|
₩2,761.2
|
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₩2,714.4
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|
₩2,589.6
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₩2,589.6
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최소: 1
배수: 1
최대: 1,001
:
2,500
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|
SiC 쇼트키 다이오드 SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
- DSC08C065D1-13
- Diodes Incorporated
-
1:
₩3,790.8
-
2,495재고 상태
|
Mouser 부품 번호
621-DSC08C065D1-13
|
Diodes Incorporated
|
SiC 쇼트키 다이오드 SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
|
|
2,495재고 상태
|
|
|
₩3,790.8
|
|
|
₩2,433.6
|
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|
₩1,669.2
|
|
|
₩1,330.7
|
|
|
₩1,288.6
|
|
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₩1,221.5
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
SiC 쇼트키 다이오드 SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
- DSC10A065D1-13
- Diodes Incorporated
-
1:
₩5,616
-
2,229재고 상태
|
Mouser 부품 번호
621-DSC10A065D1-13
|
Diodes Incorporated
|
SiC 쇼트키 다이오드 SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
|
|
2,229재고 상태
|
|
|
₩5,616
|
|
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₩2,870.4
|
|
|
₩2,527.2
|
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|
₩2,308.8
|
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|
₩1,918.8
|
|
|
₩1,794
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
SiC 쇼트키 다이오드 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
- BSDD08G65E2
- Bourns
-
1:
₩5,850
-
4,945재고 상태
|
Mouser 부품 번호
652-BSDD08G65E2
|
Bourns
|
SiC 쇼트키 다이오드 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
|
|
4,945재고 상태
|
|
|
₩5,850
|
|
|
₩3,822
|
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|
₩2,683.2
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|
₩2,184
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|
보기
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₩2,043.6
|
|
|
₩2,152.8
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₩2,043.6
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|
|
₩2,043.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
- BSDD10S65E6
- Bourns
-
1:
₩7,706.4
-
4,965재고 상태
|
Mouser 부품 번호
652-BSDD10S65E6
|
Bourns
|
SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
|
|
4,965재고 상태
|
|
|
₩7,706.4
|
|
|
₩5,101.2
|
|
|
₩3,619.2
|
|
|
₩3,104.4
|
|
|
₩2,932.8
|
|
|
₩2,932.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive
- 2SAR587D3FRATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩2,480.4
-
4,583재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-2SAR587D3FRATL
|
ROHM Semiconductor
|
양극성 트랜지스터 - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive
|
|
4,583재고 상태
|
|
|
₩2,480.4
|
|
|
₩1,575.6
|
|
|
₩1,040.5
|
|
|
₩815.9
|
|
|
₩742.6
|
|
|
₩663
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
- R6010YND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩4,555.2
-
2,415재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-R6010YND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
|
|
2,415재고 상태
|
|
|
₩4,555.2
|
|
|
₩2,948.4
|
|
|
₩2,028
|
|
|
₩1,638
|
|
|
₩1,539.7
|
|
|
₩1,447.7
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET TO252 650V 42A N-CH MOSFET
- R6014YND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩6,193.2
-
4,936재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-R6014YND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET TO252 650V 42A N-CH MOSFET
|
|
4,936재고 상태
|
|
|
₩6,193.2
|
|
|
₩4,056
|
|
|
₩2,839.2
|
|
|
₩2,340
|
|
|
₩2,340
|
|
|
₩2,184
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
- R6502END3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩2,792.4
-
3,457재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-R6502END3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
|
|
3,457재고 상태
|
|
|
₩2,792.4
|
|
|
₩1,778.4
|
|
|
₩1,182.5
|
|
|
₩931.3
|
|
|
₩786.2
|
|
|
보기
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|
|
₩850.2
|
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|
₩733.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 RECT 40V 5A SM SKY BARRI
- RB075BM40SFHHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩3,135.6
-
4,680재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-RB075BM40SFHHTL
|
ROHM Semiconductor
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 RECT 40V 5A SM SKY BARRI
|
|
4,680재고 상태
|
|
|
₩3,135.6
|
|
|
₩1,996.8
|
|
|
₩1,343.2
|
|
|
₩1,062.4
|
|
|
₩873.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩973.4
|
|
|
₩851.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 RECT 40V 5A SM SKY BARRI
- RB075BM40SFNSTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩2,745.6
-
4,914재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-RB075BM40SFNSTL
|
ROHM Semiconductor
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 RECT 40V 5A SM SKY BARRI
|
|
4,914재고 상태
|
|
|
₩2,745.6
|
|
|
₩1,747.2
|
|
|
₩1,163.8
|
|
|
₩915.7
|
|
|
₩766
|
|
|
보기
|
|
|
₩834.6
|
|
|
₩716
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3G08CBKHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩4,508.4
-
2,272재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-RD3G08CBKHRBTL
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,272재고 상태
|
|
|
₩4,508.4
|
|
|
₩2,917.2
|
|
|
₩2,012.4
|
|
|
₩1,622.4
|
|
|
₩1,517.9
|
|
|
₩1,427.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3G08CBLHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩4,446
-
2,480재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-RD3G08CBLHRBTL
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,480재고 상태
|
|
|
₩4,446
|
|
|
₩2,886
|
|
|
₩1,981.2
|
|
|
₩1,591.2
|
|
|
₩1,489.8
|
|
|
₩1,399.3
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
- RD3P02BATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩3,556.8
-
2,456재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-RD3P02BATTL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
|
|
2,456재고 상태
|
|
|
₩3,556.8
|
|
|
₩2,277.6
|
|
|
₩1,544.4
|
|
|
₩1,230.8
|
|
|
₩1,129.4
|
|
|
₩1,029.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET TO252 100V 35A N-CH MOSFET
- RD3P03BBHTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩3,962.4
-
3,796재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-RD3P03BBHTL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET TO252 100V 35A N-CH MOSFET
|
|
3,796재고 상태
|
|
|
₩3,962.4
|
|
|
₩2,558.4
|
|
|
₩1,747.2
|
|
|
₩1,391.5
|
|
|
₩1,271.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,322.9
|
|
|
₩1,195
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3P06BBKHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩3,884.4
-
2,705재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-RD3P06BBKHRBTL
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,705재고 상태
|
|
|
₩3,884.4
|
|
|
₩2,496
|
|
|
₩1,700.4
|
|
|
₩1,357.2
|
|
|
₩1,248
|
|
|
₩1,159.1
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 22V 2500W, Highly Reliable, Transient Voltage Suppressor for Automotive
- RSDT27BMFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩4,758
-
2,350재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-RSDT27BMFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 22V 2500W, Highly Reliable, Transient Voltage Suppressor for Automotive
|
|
2,350재고 상태
|
|
|
₩4,758
|
|
|
₩2,839.2
|
|
|
₩2,121.6
|
|
|
₩1,700.4
|
|
|
₩1,496
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,591.2
|
|
|
₩1,377.5
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 24V 2500W, Highly Reliable, Transient Voltage Suppressor for Automotive
- RSDT30BMFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩4,726.8
-
4,978재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-RSDT30BMFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 24V 2500W, Highly Reliable, Transient Voltage Suppressor for Automotive
|
|
4,978재고 상태
|
|
|
₩4,726.8
|
|
|
₩3,073.2
|
|
|
₩2,121.6
|
|
|
₩1,716
|
|
|
₩1,525.7
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,606.8
|
|
|
₩1,377.5
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
- YQ20BGE10SDTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩3,276
-
4,797재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-YQ20BGE10SDTL
|
ROHM Semiconductor
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
|
|
4,797재고 상태
|
|
|
₩3,276
|
|
|
₩2,090.4
|
|
|
₩1,402.4
|
|
|
₩1,120.1
|
|
|
₩950
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,018.7
|
|
|
₩904.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
- YQ20BM10SDFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩3,244.8
-
4,497재고 상태
-
2,500예상 2026-10-26
|
Mouser 부품 번호
755-YQ20BM10SDFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
|
|
4,497재고 상태
2,500예상 2026-10-26
|
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₩3,244.8
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₩2,059.2
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₩1,449.2
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₩1,180.9
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₩975
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보기
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₩1,074.8
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₩968.8
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최소: 1
배수: 1
:
2,500
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LDO 전압 레귤레이터 VOLTAGE REGULATOR
- LD1086DT50TR
- STMicroelectronics
-
1:
₩2,542.8
-
21,275재고 상태
|
Mouser 부품 번호
511-LD1086DT50TR
|
STMicroelectronics
|
LDO 전압 레귤레이터 VOLTAGE REGULATOR
|
|
21,275재고 상태
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|
₩2,542.8
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₩1,872
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₩1,700.4
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₩1,502.3
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₩1,260.5
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보기
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₩1,411.8
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₩1,358.8
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₩1,347.8
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₩1,252.7
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최소: 1
배수: 1
:
2,500
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선형 전압 레귤레이터 1.2-37V Adj Positive
- LM317MDT-TR
- STMicroelectronics
-
1:
₩795.6
-
73,328재고 상태
|
Mouser 부품 번호
511-LM317MDT-TR
|
STMicroelectronics
|
선형 전압 레귤레이터 1.2-37V Adj Positive
|
|
73,328재고 상태
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|
₩795.6
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₩561.6
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₩499.2
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₩446.2
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₩349.4
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보기
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₩418.1
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₩400.9
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₩382.2
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₩341.6
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최소: 1
배수: 1
:
2,500
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