TO-247-4 반도체

반도체의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 446
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S 420재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 44

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S 374재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 42

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S 439재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 44

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S 450재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 45

Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4 450재고 상태
최소: 1
배수: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 87재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies IGBT High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology 143재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 126재고 상태
240예상 2027-06-17
최소: 1
배수: 1

onsemi JFET UF3N120007K4S 1,099재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 112

onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2 540재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 54

Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch 164재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 218재고 상태
240예상 2026-09-03
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 240재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 352재고 상태
480주문 중
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 493재고 상태
240주문 중
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 1,365재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 616재고 상태
240주문 중
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 677재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 440재고 상태
최소: 1
배수: 1

IXYS SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A 542재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 450

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550재고 상태
최소: 1
배수: 1

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550재고 상태
최소: 1
배수: 1

ROHM Semiconductor IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive 894재고 상태
최소: 1
배수: 1

ROHM Semiconductor IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive 408재고 상태
최소: 1
배수: 1

onsemi JFET UJ4N075005K4S 326재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 35