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MOSFET N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms
- XP3838CDT33
- YAGEO XSemi
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3,000:
₩560
-
비재고 리드 타임 22 주
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Mouser 부품 번호
603-XP3838CDT33
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YAGEO XSemi
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MOSFET N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms
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비재고 리드 타임 22 주
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₩560
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₩497.6
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₩480.5
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₩422.8
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최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
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MOSFET N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms
- XP3840CDT33
- YAGEO XSemi
-
3,000:
₩578.8
-
비재고 리드 타임 22 주
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Mouser 부품 번호
603-XP3840CDT33
|
YAGEO XSemi
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MOSFET N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms
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비재고 리드 타임 22 주
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₩578.8
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₩513.2
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₩482
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최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
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GaN FET GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
- NV6026C
- Navitas Semiconductor
-
3,000:
₩4,134
-
비재고 리드 타임 26 주
-
신제품
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Mouser 부품 번호
740-NV6026C
신제품
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Navitas Semiconductor
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GaN FET GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
|
|
비재고 리드 타임 26 주
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최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
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GaN FET GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
- NV6028
- Navitas Semiconductor
-
3,000:
₩8,689.2
-
비재고 리드 타임 26 주
-
신제품
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Mouser 부품 번호
740-NV6028
신제품
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Navitas Semiconductor
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GaN FET GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
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비재고 리드 타임 26 주
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최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
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GaN FET GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
- NV6029
- Navitas Semiconductor
-
3,000:
₩12,963.6
-
비재고 리드 타임 26 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
740-NV6029
신제품
|
Navitas Semiconductor
|
GaN FET GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
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비재고 리드 타임 26 주
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최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
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RF 증폭기 1.4-4.0GHz NF .6dB Gain=17.5dB
- MAAL-010706-TR3000
- MACOM
-
1:
₩15,537.6
-
비재고 리드 타임 16 주
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Mouser 부품 번호
937-MAAL-010706-T3
|
MACOM
|
RF 증폭기 1.4-4.0GHz NF .6dB Gain=17.5dB
|
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비재고 리드 타임 16 주
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₩15,537.6
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₩12,916.8
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₩12,105.6
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₩11,122.8
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보기
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₩9,406.8
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₩10,561.2
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₩10,264.8
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₩9,968.4
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₩9,406.8
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최소: 1
배수: 1
:
3,000
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RF 증폭기 Amplifier,LNA,18-31.5 GHz,2mm,1k reel
- MAAL-011129-TR1000
- MACOM
-
1,000:
₩78,234
-
비재고 리드 타임 22 주
|
Mouser 부품 번호
937-MAAL-011129-TR1
|
MACOM
|
RF 증폭기 Amplifier,LNA,18-31.5 GHz,2mm,1k reel
|
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비재고 리드 타임 22 주
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최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
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|
|
GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-6-LR-MR
- Infineon Technologies
-
1:
₩7,862.4
-
비재고 리드 타임 18 주
-
수명 종료
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Mouser 부품 번호
499-GS065011-6-LR-MR
수명 종료
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Infineon Technologies
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GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
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비재고 리드 타임 18 주
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₩7,862.4
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₩7,020
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₩3,556.8
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₩3,556.8
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₩3,541.2
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₩3,447.6
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최소: 1
배수: 1
:
250
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RF 증폭기 Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
MACOM MAAL-011198-TR1000
- MAAL-011198-TR1000
- MACOM
-
1,000:
₩88,467.6
-
비재고 리드 타임 22 주
|
Mouser 부품 번호
937-MAAL011198TR1000
|
MACOM
|
RF 증폭기 Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
|
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비재고 리드 타임 22 주
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|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
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MOSFET
- iS20M028S1C
- iDEAL Semiconductor
-
5,000:
₩1,778.4
-
비재고 리드 타임 12 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
25-IS20M028S1C
신제품
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iDEAL Semiconductor
|
MOSFET
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 5,000
배수: 5,000
:
5,000
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GaN FET 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
- TSG65N068CE RVG
- Taiwan Semiconductor
-
9,000:
₩22,152
-
비재고 리드 타임 30 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
821-TSG65N068CERVG
NRND
|
Taiwan Semiconductor
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GaN FET 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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비재고 리드 타임 30 주
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최소: 9,000
배수: 3,000
:
3,000
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GaN FET 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
- TSG65N110CE RVG
- Taiwan Semiconductor
-
9,000:
₩12,511.2
-
비재고 리드 타임 30 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
821-TSG65N110CERVG
NRND
|
Taiwan Semiconductor
|
GaN FET 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
최소: 9,000
배수: 3,000
:
3,000
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