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GaN FET GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
- NV6028
- Navitas Semiconductor
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3,000:
₩7,849.2
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비재고 리드 타임 26 주
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신제품
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Mouser 부품 번호
740-NV6028
신제품
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Navitas Semiconductor
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GaN FET GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
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비재고 리드 타임 26 주
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최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
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GaN FET GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
- NV6029
- Navitas Semiconductor
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3,000:
₩11,710.5
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비재고 리드 타임 26 주
-
신제품
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Mouser 부품 번호
740-NV6029
신제품
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Navitas Semiconductor
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GaN FET GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
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비재고 리드 타임 26 주
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최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
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RF 증폭기 1.4-4.0GHz NF .6dB Gain=17.5dB
- MAAL-010706-TR3000
- MACOM
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1:
₩14,035.6
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3,000예상 2027-02-22
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Mouser 부품 번호
937-MAAL-010706-T3
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MACOM
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RF 증폭기 1.4-4.0GHz NF .6dB Gain=17.5dB
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3,000예상 2027-02-22
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최소: 1
배수: 1
:
3,000
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RF 증폭기 Amplifier,LNA,18-31.5 GHz,2mm,1k reel
- MAAL-011129-TR1000
- MACOM
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1,000:
₩70,671.4
-
1,000예상 2027-04-05
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Mouser 부품 번호
937-MAAL-011129-TR1
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MACOM
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RF 증폭기 Amplifier,LNA,18-31.5 GHz,2mm,1k reel
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1,000예상 2027-04-05
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최소: 1
배수: 1
:
1,000
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GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-6-LR-MR
- Infineon Technologies
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1:
₩7,102.4
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비재고 리드 타임 18 주
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수명 종료
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Mouser 부품 번호
499-GS065011-6-LR-MR
수명 종료
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Infineon Technologies
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GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
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비재고 리드 타임 18 주
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최소: 1
배수: 1
:
250
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GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-014-6-LR-MR
- Infineon Technologies
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1:
₩8,737
-
리드 타임 18 주
-
수명 종료
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Mouser 부품 번호
499-GS065014-6-LR-MR
수명 종료
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Infineon Technologies
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GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
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리드 타임 18 주
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최소: 1
배수: 1
:
250
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GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-018-6-LR-MR
- Infineon Technologies
-
1:
₩10,681.7
-
리드 타임 18 주
-
수명 종료
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Mouser 부품 번호
499-GS065018-6-LR-MR
수명 종료
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Infineon Technologies
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GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
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리드 타임 18 주
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최소: 1
배수: 1
:
250
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RF 증폭기 Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
MACOM MAAL-011198-TR1000
- MAAL-011198-TR1000
- MACOM
-
1,000:
₩79,915.7
-
비재고 리드 타임 22 주
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Mouser 부품 번호
937-MAAL011198TR1000
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MACOM
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RF 증폭기 Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
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비재고 리드 타임 22 주
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최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
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MOSFET
- iS20M028S1C
- iDEAL Semiconductor
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5,000:
₩1,606.5
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비재고 리드 타임 12 주
-
신제품
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Mouser 부품 번호
25-IS20M028S1C
신제품
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iDEAL Semiconductor
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MOSFET
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 5,000
배수: 5,000
:
5,000
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GaN FET 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
- TSG65N068CE RVG
- Taiwan Semiconductor
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9,000:
₩20,010.6
-
비재고 리드 타임 30 주
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NRND
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Mouser 부품 번호
821-TSG65N068CERVG
NRND
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Taiwan Semiconductor
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GaN FET 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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비재고 리드 타임 30 주
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최소: 9,000
배수: 3,000
:
3,000
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GaN FET 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
- TSG65N110CE RVG
- Taiwan Semiconductor
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9,000:
₩11,301.8
-
비재고 리드 타임 30 주
-
NRND
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Mouser 부품 번호
821-TSG65N110CERVG
NRND
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Taiwan Semiconductor
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GaN FET 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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비재고 리드 타임 30 주
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최소: 9,000
배수: 3,000
:
3,000
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