PDFN-8 반도체

결과: 37
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YAGEO XSemi MOSFET N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms 비재고 리드 타임 22 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

YAGEO XSemi MOSFET N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms 비재고 리드 타임 22 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

MACOM RF 증폭기 1.4-4.0GHz NF .6dB Gain=17.5dB 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MACOM RF 증폭기 Amplifier,LNA,18-31.5 GHz,2mm,1k reel 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
: 250

MACOM MAAL-011198-TR1000
MACOM RF 증폭기 Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
비재고 리드 타임 22 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

iDEAL Semiconductor MOSFET 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Taiwan Semiconductor GaN FET 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor 비재고 리드 타임 30 주
최소: 9,000
배수: 3,000
: 3,000

Taiwan Semiconductor GaN FET 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor 비재고 리드 타임 30 주
최소: 9,000
배수: 3,000
: 3,000