IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BL100B1LIT
Price: 6832 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

870-WVH8M8BL100B1LIT

제조업체 번호:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

제조업체:

ISSI

설명:

DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

데이터시트:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ISSI
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	HyperRAM
패키지/케이스:	FBGA-24
시리즈:	IS66WVH8M8BLL
포장:	Reel
브랜드:	ISSI
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Memory & Data Storage
상표명:	HyperRAM

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문서 필터:

데이터시트

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR 데이터시트 (PDF)

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규정 준수 코드

CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 타이완
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 타이완

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.