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ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136