BGA-54 반도체

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ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 348
배수: 348

ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 348
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ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
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ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
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ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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