|
|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR
- ISSI
-
2,500:
₩23,244
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
870-65W1246EBL55BL3T
|
ISSI
|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
- IS66WV51216EALL-70BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩6,333.6
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
870-66WV51216EA70BIR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
NOR 플래시 32Mb, 48-BGA(6x8mm), 3V, RoHS, T&R, Bottom Two Sectors Proected, Bottom Boot
- IS29GL032-70BLED-TR
- ISSI
-
2,500:
₩5,850
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS29GL03270BLEDT
|
ISSI
|
NOR 플래시 32Mb, 48-BGA(6x8mm), 3V, RoHS, T&R, Bottom Two Sectors Proected, Bottom Boot
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
- IS66WV51216EALL-70BLI
- ISSI
-
480:
₩6,333.6
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
870-S66WV51216EA70BI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
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|
|
SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS62WV12816EALL-55BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩7,082.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
87062WV16EALL55BLIT
|
ISSI
|
SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS62WV20488FBLL-45BLI
- ISSI
-
480:
₩17,300.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
87062WV20488F45BLI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS62WV20488FBLL-45BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩21,793.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
87062WV20488F45BLIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed-Automotive,Async,1024K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS, Automotive temp
- IS64WV102416BLL-10MLA3-TR
- ISSI
-
2,000:
₩45,832.8
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
87064W102416B10MLA3T
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed-Automotive,Async,1024K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
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|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS, Automotive temp
- IS64WV51216BLL-10MLA3-TR
- ISSI
-
2,000:
₩38,532
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
87064WV51216B10MLA3T
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
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|
|
|
SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 48ball TFBGA, Industrial Temp - Tape & Reel
- AS7C34098A-10BINTR
- Alliance Memory
-
1,000:
₩8,346
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
913-AS7C34098A10BINT
|
Alliance Memory
|
SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 48ball TFBGA, Industrial Temp - Tape & Reel
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
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|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A08BCMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩26,364
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A08BCMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A08BMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩24,913.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A08BMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A08BMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩27,222
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A08BMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16ACMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩25,630.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16ACMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16AMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩24,679.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16AMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16AMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩23,930.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16AMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16AVMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩30,279.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16AVMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16AVMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩29,686.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16AVMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
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|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR1A16ACMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩34,756.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16ACMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR1A16ACMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩32,853.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16ACMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR1A16AMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩31,902
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16AMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR1A16AMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩31,137.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16AMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR1A16AVMA35
- Everspin Technologies
-
696:
₩38,422.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16AVMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 696
배수: 348
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR1A16AVMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩38,220
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16AVMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
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|
|
|
MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR256A08BCMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩16,692
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR256A08BCMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
대한민국
