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F램 4M (256Kx16) 55ns F램
Infineon Technologies FM22LD16-55-BGTR
- FM22LD16-55-BGTR
- Infineon Technologies
-
2,000:
₩70,449.6
-
비재고 리드 타임 26 주
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Mouser 부품 번호
877-FM22LD16-55-BGTR
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Infineon Technologies
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F램 4M (256Kx16) 55ns F램
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비재고 리드 타임 26 주
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최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
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SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS62WV25616EBLL-45B2LI
- ISSI
-
480:
₩11,715.6
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-25616EBLL-45B2LI
|
ISSI
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SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 480
배수: 480
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SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS62WV25616EBLL-45B2LI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩7,207.2
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-25616LL-45B2LITR
|
ISSI
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SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
- IS61WV102416ALL-20MLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩38,313.6
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-61102416AL20MLIT
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ISSI
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
|
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
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|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
- IS61WV102416ALL-20MLI
- ISSI
-
210:
₩38,313.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61102416ALL20MLI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 210
배수: 210
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
- IS61WV102416EDALL-12BLI
- ISSI
-
480:
₩36,675.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61V12416EDALL2BI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩36,675.6
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견적
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견적
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최소: 480
배수: 480
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
- IS61WV102416EDALL-12TLI
- ISSI
-
96:
₩35,708.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61V12416EDALL2TI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
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|
₩35,708.4
|
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|
₩34,819.2
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견적
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견적
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최소: 96
배수: 96
|
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
- IS61WV102416EDALL-12BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩36,660
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61V1246EDALL2BIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
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|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
- IS61WV102416EDALL-12TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩34,803.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61V1246EDALL2TIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
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|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
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SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
- IS61WV204816ALL-12TLI
- ISSI
-
96:
₩54,381.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61V204816ALL12TI
|
ISSI
|
SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩54,381.6
|
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|
₩53,040
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보기
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견적
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최소: 96
배수: 96
|
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SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV204816ALL-12BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩55,848
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61V24816ALL12BIT
|
ISSI
|
SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
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비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
- IS61WV204816ALL-12TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩52,993.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61V24816ALL12TIT
|
ISSI
|
SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
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|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV102416DALL-12BLI
- ISSI
-
480:
₩23,056.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W102416DALL2BI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV102416DALL-12BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩23,056.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W12416DALL2BIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
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|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV20488FBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩27,939.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W20488FBLL1BIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV20488FBLL-8BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩19,858.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W20488FBLL8BIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
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|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV25616FALL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩5,288.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W25616FALL0BIT
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV25616FALL-10BLI
- ISSI
-
480:
₩5,616
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W25616FALL10BI
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV25616FBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩7,800
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W25616FBLL0BIT
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩21,231.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩21,247.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2BI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩21,247.2
|
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|
견적
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|
|
견적
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
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|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
- IS61WV102416ALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩36,457.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV102416A2TLIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
- IS61WV20488BLL-10MLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩38,266.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV20488B10MLIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV20488FBLL-8BLI
- ISSI
-
480:
₩29,374.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV20488FBLL8BI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩9,625.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV25616ELL8BLI
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
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